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公开(公告)号：CN101333420A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101768412B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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公开(公告)号：CN101333420B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810085567.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , C09G1/02
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光(CMP)的浆料组合物。该组合物含有去离子水；含氮化合物；和选择性含有的研磨颗粒、氧化剂、或研磨颗粒和氧化剂的组合。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101768412A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215848.5
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/7684
Abstract: 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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公开(公告)号：CN103184011B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210593238.0
申请日：2012-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种CMP浆料组合物和使用其的抛光方法。所述CMP浆料组合物包含金属氧化物颗粒、二异氰酸酯化合物和去离子水。所述CMP浆料组合物能够选择性地控制具有凸出部分和凹进部分的晶片表面的抛光速度，使得快速进行一次抛光和二次抛光，同时在二次抛光时停止氮化物层的抛光。
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公开(公告)号：CN103184011A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210593238.0
申请日：2012-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种CMP浆料组合物和使用其的抛光方法。所述CMP浆料组合物包含金属氧化物颗粒、二异氰酸酯化合物和去离子水。所述CMP浆料组合物能够选择性地控制具有凸出部分和凹进部分的晶片表面的抛光速度，使得快速进行一次抛光和二次抛光，同时在二次抛光时停止氮化物层的抛光。
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公开(公告)号：CN101333421B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810085569.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304 , C09G1/18 , B24B29/00
CPC classification number: C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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公开(公告)号：CN101333421A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810085569.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/18 , B24B29/00 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/04 , H01L45/06 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。
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