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公开(公告)号：CN108865120A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810915022.9
申请日：2018-08-13
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/7733 , G01N21/643 , G01N2021/6432
Abstract: 本发明提供了一种Eu3+掺杂的CaF2光功能粉体的制备方法及其应用，具体制备方法为：称取适量的乙酸钙和稀土铕盐粉体（Eu3+掺杂摩尔比为1~16%），加入到以异丙醇、乙醇和水的溶剂，按n(Ca2++Eu3+):n(F‑)=1:2的摩尔计量比，称取氟化氢铵，搅拌均匀后得溶胶A；将溶胶A干燥得到的胶态物质进行热处理，从室温升至300~700℃，保温一定时间，随炉冷却至室温，研磨得到Eu3+掺杂的CaF2粉体。由该技术方案制备出的Eu3+掺杂的CaF2光功能粉体具有合成工艺简单、产量高、成本低和适合于大规模生产等特点，而且能够对水溶液中的Cr2O72‑离子同时实现吸附与检测功能。
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公开(公告)号：CN118450783A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410548125.1
申请日：2024-05-06
Applicant: 福州大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种新型立方相热电材料及其制备方法，所述新型立方相热电材料的化学式为CuGa0.72In0.28TeSe；所述CuGa0.72In0.28TeSe的晶体结构为立方结构，空间群为#imgabs0#结构中有两个晶格位点，Cu、Ga和In三个原子共同占据体12条棱的1/2处以及体心的阳离子晶格位点，Te和Se两个原子共同占据四条体对角线的1/4处的阴离子晶格位点。本发明通过高温熔炼反应得到的CuGa0.72In0.28TeSe热电材料室温下的热导率为2.42Wm‑1K‑1，热电优值在823K时为0.34，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN107723796B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710991667.6
申请日：2017-10-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种用于生长SrMoO4晶体或者激活离子掺杂SrMoO4晶体的方法，采用顶部籽晶助熔剂法制备，所用助熔剂为Na 2MoO4+B2O3或K2MoO4+B2O3的复合助熔剂。在复合助熔剂体系中，Na2MoO4或K2MoO4与B2O3的摩尔比为4:1，激活离子为Tm3+、Ho3+、Yb3+、Er3+或Pr3+。本发明所述的制备SrMoO4晶体技术方法，可以将SrMoO4晶体的生长温度降低，同时还可以有效降低熔体体系在生长过程中的挥发性，稳定晶体的生长环境。
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公开(公告)号：CN108456522A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810449141.X
申请日：2018-05-11
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02B20/181 , C09K11/7736 , H01L33/502
Abstract: 本发明涉及一种适于紫外光激发的红色荧光粉及其制备方法，属于发光技术领域。该红色荧光粉的化学式为：KBaEu(XO4)3(X=Mo或W)，属于单斜晶系C2/c空间群，其结构主要特征为无序链状结构。该荧光粉通过高温固相合成法合成。将原料研磨混合均匀后置入坩埚，在900-1000℃下反应24-48h，自然冷却获得荧光粉。该荧光粉在300-350nm的紫外光有效激发下，发射出波长范围为570-630nm的红光，在温度550K环境下，KBaEu(MoO4)3和KBaEu(WO4)3红色发光强度分别为300K环境下的37.3%与50.7%，结果表明，该类荧光粉可用于制备高功率紫外光激发的白光LED中。
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公开(公告)号：CN107557861A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710987650.3
申请日：2017-10-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，采用密闭熔盐法生长，使用一密闭熔盐炉实现，该熔盐炉包括密闭的刚玉炉膛，刚玉炉膛上下两端密闭，并分别连接真空机械泵和氩气源；以CsCl作为助熔剂，其加入量为50-70wt.%；降温速率为1℃/天，转速为5-10转/分钟；具体包括以下步骤：（1）将原料和助熔剂混合研磨，得到原料混合物后装入石墨坩埚，并将石墨坩埚置于刚玉炉膛内；（2）对密闭的刚玉炉膛抽真空，在真空度优于10-2Pa的状态下除水除氧；除水结束后，通氩气并升温熔化原料混合物至熔液均匀化；（3）下降籽晶至接触液面，设定温区进行降温，开始晶体生长，直至获得一定尺寸的晶体后，提拉晶体离开液面，再降温至室温，操作简单便捷，适用于Ba3P3O10Cl单晶的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119121401A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411286594.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料及其制备方法和应用，所述具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料的分子式为Rb4Sb2Br12；所述具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料为四重钙钛矿材料，属于四方晶系，I41/a空间群；所述具有低热导率的无机卤化物钙钛矿材料由SbBr63‑八面体框架组成，Rb原子占据八面体之间的空腔，其中，Sb为+3和+5的混合价态；该方法制备的Rb4Sb2Br12钙钛矿单晶结构复杂，无污染，价格低廉，制备简单，具有本征低热导率，能生长成大块；常温下Rb4Sb2Br12单晶的本征热导率可达0.24Wm‑1K‑1，150℃下本征热导率可达0.21Wm‑1K‑1，是一种非常有前景的低热导材料。
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公开(公告)号：CN118833849A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410829947.7
申请日：2024-06-25
Applicant: 福州大学
IPC: C01G3/00 , C01G3/12 , H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种P型KCu7(1‑x)S4热电材料的制备方法，具体包括以下步骤：S1、称量：将高纯K块、Cu粒和S粒按照K:Cu:S＝1:7(1‑x):4的摩尔比例称量并混合均匀，其中，x的取值为0、0.01、0.02、0.03、0.035、0.04或0.05；S2、真空封装：将步骤S1中称量好的原料放入内壁镀有碳膜的石英管中真空密封，得到真空密封石英管；S3、熔炼：将步骤S2中密封好的石英管放入马弗炉中进行熔炼，得到熔炼铸锭；S4、研磨：将步骤S3中铸锭在手套箱中通过玛瑙研钵研磨，得到均匀粉末；S5、放电等离子体烧结：将步骤S4中的均匀粉末放入石墨模具中利用放电等离子体烧结压制成块，得到高密度块体，即KCu7(1‑x)S4热电材料。
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公开(公告)号：CN109021247B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811096138.0
申请日：2018-09-19
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种Eu3+离子掺杂的层片状稀土基金属有机框架化合物及其制备方法和应用。其是以含Eu3+的稀土氯化物、三水合醋酸钠和对苯二甲酸为原料，经水热法制备而成。本发明制备工艺简单，所得Eu3+离子掺杂的稀土基金属有机框架化合物具有荧光吸附性能，可制备成荧光探针，用以定性、定量检测水溶液中的铁离子。
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公开(公告)号：CN109811414A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910218692.X
申请日：2019-03-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种钨酸盐激光晶体基质及其制备方法，属于激光晶体材料领域。该钨酸盐晶体的化学式为：Na5Gd(WO4)4，属于四方晶系I41/a空间群。其晶胞参数为α=β=γ=90°，a=11.4937Å，b=11.4937Å,c=11.3998Å,Z=4。还提供了上述钨酸盐激光晶体的制备方法，采用熔盐顶部籽晶法，以Na2WO4作为助熔剂，生长参数为：生长温度950-1000℃，转速5-20转/分钟，降温速率0.5-2℃/天，生长出Na5Gd(WO4)4晶体。本发明的晶体可以在固体激光器中作为激光工作物质使用。
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