公开(公告)号：CN105981134B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201580008264.4

申请日：2015-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗杰·B·费许 ,  史蒂芬·恩尔拉

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供一种具有改良温度均匀性的加热平台。各种实例提供平台部分，其具有与其热耦合的金属化层。电接触件可连接到金属化层并被配置成传导用于加热金属化层以及平台部分的电流。电接触件可包含电导体以及电阻加热元件，电阻加热元件被配置成当电流流过其时将加热，从而产生减少从平台部分吸收到电接触件中的热量的热块。本发明提供的加热平台具有改良温度均匀性。

公开(公告)号：CN106030779B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201580009010.4

申请日：2015-02-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗杰·B·费许 ,  史蒂芬·恩尔拉 ,  陶德·路易斯·马克阿册恩

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种平台支撑结构以及平台，所述平台支撑结构被适配成使加热平台部分与冷底板绝热同时提供其间的基本上无泄漏的气体运输，且同时允许所述平台部分的热膨胀和收缩。所述支撑结构提供的各种实例提供：管状弯曲部，其具有内部气体导管；平台部分安装耳片，其连接到所述弯曲部并且具有与所述弯曲部的所述内部气体导管流体连通的内部气体输入狭槽，所述平台部分安装耳片适用于连接到平台的平台部分；以及底板安装耳片，其连接到所述弯曲部并且具有与所述弯曲部的所述内部气体导管流体连通的内部气体输出狭槽，所述底板安装耳片适用于连接到平台的底板。平台支撑结构提供加热平台部分与冷底板的强机械耦接、良好的热绝缘以及无泄漏气体运输。

公开(公告)号：CN105981134A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008264.4

申请日：2015-02-11

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗杰·B·费许 ,  史蒂芬·恩尔拉

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H05B3/26 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明大体上描述一种具有改良温度均匀性的加热平台。各种实例提供平台部分，其具有与其热耦合的金属化层。电接触件可连接到金属化层并被配置成传导用于加热金属化层以及平台部分的电流。电接触件可包含电导体以及电阻加热元件，电阻加热元件被配置成当电流流过其时将加热，从而产生减少从平台部分吸收到电接触件中的热量的热块。

公开(公告)号：CN106030779A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009010.4

申请日：2015-02-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 罗杰·B·费许 ,  史蒂芬·恩尔拉 ,  陶德·路易斯·马克阿册恩

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/6833

Abstract: 一种平台支撑结构，所述平台支撑结构被适配成使加热平台部分与冷底板绝热同时提供其间的基本上无泄漏的气体运输，且同时允许所述平台部分的热膨胀和收缩。所述支撑结构提供的各种实例提供：管状弯曲部，其具有内部气体导管；平台部分安装耳片，其连接到所述弯曲部并且具有与所述弯曲部的所述内部气体导管流体连通的内部气体输入狭槽，所述平台部分安装耳片适用于连接到平台的平台部分；以及底板安装耳片，其连接到所述弯曲部并且具有与所述弯曲部的所述内部气体导管流体连通的内部气体输出狭槽，所述底板安装耳片适用于连接到平台的底板。

公开(公告)号：CN101138080A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007513.9

申请日：2006-03-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·D·纽南 ,  安东尼·雷诺 ,  艾伦·升 ,  保罗·墨菲 ,  沈圭河 ,  查理斯·泰欧多尔赤克 ,  史蒂芬·恩尔拉 ,  萨缪尔·巴思凯 ,  罗伦斯·费卡拉 ,  理查德·J·赫尔特

IPC: H01L21/68 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317

Abstract: 一种基板遮罩装置，包括：一平板组合(assembly)，其支撑着一处理用的基板；一光罩，其具有一种孔径；一保持机构，其使光罩保持在遮罩位置中；以及一定位机构，其改变此光罩和基板的相对位置，以经由光罩中的孔径来对基板的不同区域进行曝光。此装置可另外包含一光罩载入机构，其使光罩转移至遮罩位置和非遮罩位置且在此遮罩位置和非遮罩位置之间移动。处理过程包括以不同的植入参数值来对基板的不同区域进行离子植入。在其它实施例中，可由基板前方的光罩、光闸或离子束修正器来选取此基板的待处理的区域。