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公开(公告)号：CN105895614B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201610090985.0
申请日：2016-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有：多个配线层(5、7、9)，形成于半导体基板(1P)上；焊盘(9a)，形成于多个配线层(5、7、9)的最上层；表面保护膜(10)，由无机绝缘膜构成且在焊盘上具有开口；再设配线(12)，形成于表面保护膜(10)上；焊盘电极(13)，形成于再设配线(12)上；以及与焊盘电极(13)连接的导线(20)。并且，再设配线(12)由搭载有焊盘电极(13)的焊盘电极搭载部、与焊盘连接的连接部以及将焊盘电极搭载部与连接部连结的延长配线部构成，在俯视时，焊盘电极搭载部(13)是长方形。
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公开(公告)号：CN105895614A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610090985.0
申请日：2016-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有：多个配线层(5、7、9)，形成于半导体基板(1P)上；焊盘(9a)，形成于多个配线层(5、7、9)的最上层；表面保护膜(10)，由无机绝缘膜构成且在焊盘上具有开口；再设配线(12)，形成于表面保护膜(10)上；焊盘电极(13)，形成于再设配线(12)上；以及与焊盘电极(13)连接的导线(20)。并且，再设配线(12)由搭载有焊盘电极(13)的焊盘电极搭载部、与焊盘连接的连接部以及将焊盘电极搭载部与连接部连结的延长配线部构成，在俯视时，焊盘电极搭载部(13)是长方形。
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公开(公告)号：CN205582918U
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201620127550.4
申请日：2016-02-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/28
CPC classification number: H01L24/06 , H01L23/49811 , H01L23/49894 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/02185 , H01L2224/0311 , H01L2224/04042 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/05644 , H01L2224/0605 , H01L2224/45005 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2224/48463 , H01L2224/48844 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/85206 , H01L2224/858 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/35121
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体装置，能够提高半导体装置的可靠性。半导体装置(1)具有：半导体基板；多个配线层(5、7、9)，形成于半导体基板(1P)上；焊盘(9a)，形成于多个配线层(5、7、9)的最上层；表面保护膜(10)，由无机绝缘膜构成且在焊盘上具有开口；再设配线(12)，形成于表面保护膜(10)上；以及焊盘电极(13)，是用于连接导线(20)的区域，并且形成于再设配线(12)上。再设配线(12)由搭载有焊盘电极(13)的焊盘电极搭载部、与焊盘连接的连接部以及将焊盘电极搭载部与连接部连结的延长配线部构成，在俯视时，焊盘电极搭载部(13)是长方形。
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