公开(公告)号：CN103839782A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310611389.9

申请日：2013-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/146

Abstract: 一种掩模（MSK），该掩模具有衬底（SB）、有效像素形成用区域和基准用图案形成用区域。在有效像素形成用区域中配置有用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案（PTN1m）。在基准用图案形成用区域中配置有用于表示基准位置的基准用图案（PTN21m～PTN28m），该基准位置是本来在有效像素形成用区域中配置像素用图案（PTN1m）的位置。像素用图案（PTN1m）以比基准位置偏向有效像素形成用区域的中央侧的方式配置。

公开(公告)号：CN101383303B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200810133743.0

申请日：2008-07-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之 ,  光山广志 ,  长谷川胜启 ,  西辻启子 ,  三木一伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明“半导体装置及其制造方法”可防止焊盘下的层间绝缘膜上产生裂纹，将形成在与焊盘同层上的上层布线微细化。在层间绝缘膜(17)上形成第1金属膜20。以第1抗蚀剂层(32)为掩模各向异性蚀刻第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上形成杨氏模量比第1金属膜(20)低的第2金属膜(24)，以覆盖存留的第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上方存在第1金属膜(20)的区域和不存在第1金属膜(20)的区域的一部分上，在第2金属膜(24)上形成第2抗蚀剂层(33)。以第2抗蚀剂层(33)为掩模，各向异性蚀刻第2金属膜24，形成具有第1金属膜(20)和第2金属膜(24)的焊盘，以及具有第2金属膜(24)而没有第1金属膜(20)的上层布线(22)。

公开(公告)号：CN108321143B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201810179971.5

申请日：2013-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L27/146 ,  G06F30/392

Abstract: 本发明提供一种掩模及其制造方法、半导体装置。掩模(MSK)具有衬底(SB)、有效像素形成用区域和基准用图案形成用区域。在有效像素形成用区域中配置有用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案(PTN1m)。在基准用图案形成用区域中配置有用于表示基准位置的基准用图案(PTN21m～PTN28m)，该基准位置是本来在有效像素形成用区域中配置像素用图案(PTN1m)的位置。像素用图案(PTN1m)以比基准位置偏向有效像素形成用区域的中央侧的方式配置。

公开(公告)号：CN108321143A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810179971.5

申请日：2013-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L27/146 ,  G06F17/50

CPC classification number: H01L27/14685 ,  G06F17/5072 ,  G06F2217/12 ,  H01L22/20 ,  H01L22/30 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供一种掩模及其制造方法、半导体装置。掩模(MSK)具有衬底(SB)、有效像素形成用区域和基准用图案形成用区域。在有效像素形成用区域中配置有用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案(PTN1m)。在基准用图案形成用区域中配置有用于表示基准位置的基准用图案(PTN21m～PTN28m)，该基准位置是本来在有效像素形成用区域中配置像素用图案(PTN1m)的位置。像素用图案(PTN1m)以比基准位置偏向有效像素形成用区域的中央侧的方式配置。

公开(公告)号：CN103839782B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201310611389.9

申请日：2013-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 百浓宽之

IPC: H01L21/027 ,  H01L27/146

Abstract: 一种掩模（MSK），该掩模具有衬底（SB）、有效像素形成用区域和基准用图案形成用区域。在有效像素形成用区域中配置有用于形成构成像素的像素构成部件的像素用图案（PTN1m）。在基准用图案形成用区域中配置有用于表示基准位置的基准用图案（PTN21m～PTN28m），该基准位置是本来在有效像素形成用区域中配置像素用图案（PTN1m）的位置。像素用图案（PTN1m）以比基准位置偏向有效像素形成用区域的中央侧的方式配置。