-
公开(公告)号：CN116893015A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310087169.4
申请日：2023-02-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括第一晶体管，负载电流通过第一晶体管流向外部负载；电流生成电路，当负载电流流过过热检测目标时，该电流生成电路输出与过热检测目标中产生的功率损耗相对应的电流；电阻器‑电容器网络，其包括与过热检测目标的热电阻和热电容对应的电阻器和电容器，并且耦合到电流生成电路的一端；过热检测电路，耦合到所述电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点；以及电压源，其将电流生成电路和电阻器‑电容器网络的连接点的电压设置为预定电压。
-
公开(公告)号：CN114497014A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111128076.9
申请日：2021-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及半导体装置。该半导体装置包括具有在表面上的源极电极的功率MOS芯片、以及安装在功率MOS芯片一部分上的控制芯片，其中从功率MOS芯片的沿第一方向延伸的第一外边缘向控制芯片观察，第一列接合焊盘以及第二列接合焊盘被形成在源极电极的未安装有控制芯片的区域，并且其中功率MOS芯片的沿第二方向延伸的第二外边缘与第一列接合焊盘之间的距离，比第二外边缘与第二列接合焊盘之间的距离长。
-
公开(公告)号：CN106558583B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201610773399.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
-
公开(公告)号：CN119959596A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411422266.5
申请日：2024-10-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01R19/00
Abstract: 本公开涉及电流感测电路。一种电流感测电路包括电流镜电路QN1、QN2以及基极连接在一起的二极管连接的QP1、QP2、QP3和QP4，它们堆叠使得二极管连接侧(QN1，QP1，QP3)对准并且将QP2的发射极连接到QP4的集电极。此外，MP1和MP2的栅极分别被连接到QN2和QP2的集电极。此外，MP1的源极经由MP2的源极被连接到MP3的漏极，并且被还连接到感测MOS的源极。此外，QP4的发射极经由R1连接到MP4的源极，并且MP4的漏极被连接到主MOS的源极(OUT端子)。此外，MP3和MP4的栅极被连接到QN1和QN2的发射器。
-
公开(公告)号：CN107872210A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710855431.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/28 , G01R19/165
Abstract: 提供了输入缓冲器、半导体器件和引擎控制单元，使得可以实时地执行故障诊断。输入缓冲器包括：第一比较器，将输入信号的电压与第一参考电压进行比较；滞后电路，基于来自第一比较器的比较结果生成第一高电压侧或低电压侧参考电压；第二比较器，将输入信号的电压与第二参考电压进行比较；以及滞后电路，输出高于第一高电压侧参考电压的第二高电压侧参考电压或者低于第一低电压侧参考电压的第二低电压侧参考电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115483167A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210577668.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一晶体管，使电流流向负载；电流生成电路，输出与第一晶体管的功率消耗相对应的电流；温度传感器；电阻电容网络，耦合在电流生成电路和温度传感器之间；以及过热检测电路，耦合到电流生成电路与电阻电容网络的连接点，其中电阻电容网络包括与第一晶体管和温度传感器之间的热阻和热容相对应的电阻器和电容器。
-
公开(公告)号：CN106558583A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610773399.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: G01R17/16 , G01R19/0092 , H01L21/823487 , H01L23/535 , H01L27/0207 , H01L27/0251 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
-
公开(公告)号：CN106089462A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610269096.0
申请日：2016-04-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制半导体装置、车载电子控制单元及车辆。根据一个实施例，一种开关控制电路(CTL1)包括稳压二极管(D1)和电流镜电路，当控制流过负载(4)的电流的输出晶体管(T1)的漏极(Dr1)和源极(Sr1)之间的电压超过特定值(Vcl)时，稳压二极管(D1)允许输出晶体管(T1)的漏极(Dr1)和源极(Sr1)之间的连通性，当电流流过稳压二极管(D1)时，电流镜电路允许输出晶体管(T1)的漏极(Dr1)和栅极(Gt1)之间的连通性。
-
-
公开(公告)号：CN107425833A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710362880.0
申请日：2017-05-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/082 , H03K17/687 , H03K17/08
CPC classification number: H02H3/20 , H03K17/0822 , H03K17/145 , H03K17/687 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2017/0806
Abstract: 本发明涉及半导体装置。根据现有技术的半导体装置具有如下问题：钳位输出电压的钳位电压不能根据电源电压自适应地变化，因此不可能将半导体芯片的发热降低到足够低的水平。根据一个实施例的所述半导体装置包括：用于控制输出晶体管(13)的导通和截止的驱动电路(10)以及当输出电压Vout达到钳位电压时控制所述输出晶体管(13)的导通状态的过压保护电路(12)，并且所述过压保护电路(12)具有将钳位电压设定为与电源电压VDD成比例地变化的电路结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.034 seconds)
