-
公开(公告)号：CN114497014A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111128076.9
申请日：2021-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及半导体装置。该半导体装置包括具有在表面上的源极电极的功率MOS芯片、以及安装在功率MOS芯片一部分上的控制芯片，其中从功率MOS芯片的沿第一方向延伸的第一外边缘向控制芯片观察，第一列接合焊盘以及第二列接合焊盘被形成在源极电极的未安装有控制芯片的区域，并且其中功率MOS芯片的沿第二方向延伸的第二外边缘与第一列接合焊盘之间的距离，比第二外边缘与第二列接合焊盘之间的距离长。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
