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公开(公告)号：CN108242804A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711424028.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件和功率转换器。旨在提供一种半导体器件，其能够防止关断时的浪涌电压，而不会使栅极驱动电路复杂化且不会使开关延迟增大。半导体器件具有以下配置，其中通过包括用于控制在第一主电极与第二主电极之间流动的电流的多个控制电极，将多个晶体管等效地并联耦合。来自公共控制端子的控制信号的传输路径的电阻值关于每个控制电极而变化。
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公开(公告)号：CN107395000B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710179429.5
申请日：2017-03-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在现有技术的半导体器件中存在的问题是，具有有源米勒钳位功能的半导体器件的芯片尺寸不能减小。根据一个实施例，半导体器件被配置为当功率器件导通或截止时，监测功率器件的栅极电压(Vg)，在转变范围内设置预定范围，转变范围是栅极电压(Vg)改变的范围，当栅极电压(Vg)在预定范围内时，通过使用预定数量的恒流电路，改变功率器件的栅极电压(Vg)，并且当栅极电压(Vg)在预定范围之外时，通过使用比当栅极电压(Vg)在预定范围内时使用的恒流电路的数量更多数量的恒流电路来改变栅极电压(Vg)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106911250B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201611194071.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有：第一结合电路(HCC1、HCC2)，包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线；第二结合电路(LCC)，包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2)，该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合，该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。
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公开(公告)号：CN107359155A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710187607.9
申请日：2017-03-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , H01L21/26513 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32055 , H01L21/823412 , H01L23/5228 , H01L23/5286 , H01L23/53271 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/0692 , H01L29/7393 , H01L29/74 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H03K17/16 , H03K2017/0806 , H03K2217/0027 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H01L25/16 , G01K7/01
Abstract: 本发明提供一种半导体器件和半导体装置，所述半导体器件包括功率器件和温度检测二极管。所述半导体器件具有被配置成使功率器件的电力线与温度检测二极管之间绝缘的器件结构。
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公开(公告)号：CN107272478A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710213345.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G05B19/042
CPC classification number: H02P29/028 , H02M1/08 , H02M2001/0029 , H02P27/08 , H03K17/0406 , H03K17/08 , H03K17/0828 , H03K17/163 , H03K17/567 , H03K2217/0027 , G05B19/0423 , G05B2219/25257
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在相关技术中的半导体装置中，将功率元件的阈值电压与栅极驱动器的电路操作匹配是必须的；因此，实现最适于所采用的功率元件的栅极驱动器的操作是困难的。根据一个实施例，当功率元件被关断时，半导体装置监控功率元件的集电极电压，并且在直到集电极电压变为低于预设确定阈值之前的期间，相比在集电极电压变为低于确定阈值之后的期间，半导体装置增加从功率元件的栅极抽取电荷的NMOS晶体管的数量。
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公开(公告)号：CN107395000A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710179429.5
申请日：2017-03-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在现有技术的半导体器件中存在的问题是，具有有源米勒钳位功能的半导体器件的芯片尺寸不能减小。根据一个实施例，半导体器件被配置为当功率器件导通或截止时，监测功率器件的栅极电压(Vg)，在转变范围内设置预定范围，转变范围是栅极电压(Vg)改变的范围，当栅极电压(Vg)在预定范围内时，通过使用预定数量的恒流电路，改变功率器件的栅极电压(Vg)，并且当栅极电压(Vg)在预定范围之外时，通过使用比当栅极电压(Vg)在预定范围内时使用的恒流电路的数量更多数量的恒流电路来改变栅极电压(Vg)。
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公开(公告)号：CN106911250A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611194071.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够实现成本的降低的电力转换系统、功率模块及半导体器件。电力转换系统具有：第一结合电路(HCC1、HCC2)，包含控制器(CTLU)与高压侧电路(HSU)之间的布线；第二结合电路(LCC)，包含控制器(CTLU)与低压侧电路(LSU)之间的布线。第一结合电路(HCC1、HCC2)具有二极管(DD1、DD2)，该二极管(DD1、DD2)的正极与来自控制器(CTLU)的布线结合，该二极管(DD1、DD2)的负极与来自高压侧电路(HSU)的布线结合。
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