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公开(公告)号：CN107871735A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711143784.3
申请日：2013-01-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下泰之
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/74 , H01L29/7436
Abstract: 一种半导体静电保护电路器件，包括：衬底、元件隔离绝缘膜、多个第一高浓度第一导电类型区、多个第一高浓度第二导电类型区和第二高浓度第一导电类型区。每个第一高浓度第二导电类型区形成在衬底上方的多个第二第一导电类型阱中的相应一个中；每个第一高浓度第一导电类型区形成在衬底上方的第二导电类型阱中；每两个相邻的第一高浓度第一导电类型区被一个第一高浓度第二导电类型区分开；器件的横截面中，元件隔离绝缘膜将多个第一高浓度第一导电类型区与多个第一高浓度第二导电类型区分开；多个第一高浓度第一导电类型区耦合到地电位；多个第一高浓度第二导电类型区耦合到I/O焊盘并连接到内部电路；第二高浓度第一导电类型区连接到触发器元件。
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公开(公告)号：CN107408533A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580078318.4
申请日：2015-06-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0296 , H01L21/822 , H01L23/50 , H01L23/5286 , H01L27/0266 , H01L27/0288 , H01L27/04
Abstract: 半导体器件具备：与第一焊盘连接的第一输入输出电路；相对于第一输入输出电路配置在沿着芯片端部所构成的一条边的方向上且与第二焊盘连接的第二输入输出电路；和配置在第一输入输出电路及第二输入输出电路的外侧的芯片端部附近的ESD保护电路。ESD保护电路具备电阻、电容、反相器和N沟道晶体管。
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公开(公告)号：CN113948507A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110796610.7
申请日：2021-07-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下泰之
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请涉及半导体器件。第一ESD保护电路被设置在第一电源系统的第一高电位侧电源和第一低电位侧电源之间，并且第二ESD保护电路被设置在第二电源系统的第二高电位侧电源和第二低电位侧电源之间。耦合电路包括双向二极管并耦合第一低电位侧电源和第二低电位侧电源。第一晶体管由n沟道MOS晶体管组成，具有耦合到第一电源系统的第一高电位侧电源的漏极，并且具有耦合到第二电源系统的第二低电位侧电源的背栅极。电阻器元件被串联插入在第一晶体管的漏极和第一高电位侧电源之间。
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公开(公告)号：CN107408533B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201580078318.4
申请日：2015-06-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 半导体器件具备：与第一焊盘连接的第一输入输出电路；相对于第一输入输出电路配置在沿着芯片端部所构成的一条边的方向上且与第二焊盘连接的第二输入输出电路；和配置在第一输入输出电路及第二输入输出电路的外侧的芯片端部附近的ESD保护电路。ESD保护电路具备电阻、电容、反相器和N沟道晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103296075A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310022737.9
申请日：2013-01-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下泰之
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/74 , H01L29/7436
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中的静电保护电路包括在平行于半导体衬底的第一方向上延伸的第一第一导电类型阱、在一端耦合到第一第一导电类型阱的长边的情况下在平行于半导体衬底并且垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二第一导电类型阱、和在第一第一导电类型阱和第二第一导电类型阱周围形成的第二导电类型阱。它也包括在第二第一导电类型阱的表面上在第二方向上延伸的第一高浓度第二导电类型区，和在第二导电类型阱的表面上在面对第一高浓度第二导电类型区的同时在第二方向上延伸的第一高浓度第一导电类型区。
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公开(公告)号：CN119317183A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410820683.9
申请日：2024-06-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下泰之
IPC: H10D89/60 , H01L23/528 , H01L23/58
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体设备。本公开提供了一种能够通过小面积ESD保护器来确保高等级ESD耐性并且保护半导体设备的技术。半导体设备包括输入/输出单元、核芯逻辑电路、第一电源单元、第二电源单元、第三电源单元和第四电源单元。每个电源单元包括保护电路和双向二极管。
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公开(公告)号：CN108447861A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810064433.1
申请日：2018-01-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/027 , H01L27/0255 , H01L27/0277 , H01L27/0288 , H01L27/0629 , H01L27/04 , H01L23/60
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括MOS晶体管和二极管，所述MOS晶体管被耦合在两个端子之间并放电由静电的产生而引起流动的电流，所述二极管被耦合在MOS晶体管的背栅极和端子之一之间，并具有与形成在MOS晶体管的背栅极和源极之间的寄生二极管的极性相反的极性。
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公开(公告)号：CN103296075B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201310022737.9
申请日：2013-01-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下泰之
IPC: H01L29/74 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/0692 , H01L29/74 , H01L29/7436
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中的静电保护电路包括在平行于半导体衬底的第一方向上延伸的第一第一导电类型阱、在一端耦合到第一第一导电类型阱的长边的情况下在平行于半导体衬底并且垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二第一导电类型阱、和在第一第一导电类型阱和第二第一导电类型阱周围形成的第二导电类型阱。它也包括在第二第一导电类型阱的表面上在第二方向上延伸的第一高浓度第二导电类型区，和在第二导电类型阱的表面上在面对第一高浓度第二导电类型区的同时在第二方向上延伸的第一高浓度第一导电类型区。
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公开(公告)号：CN107359161A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710271669.8
申请日：2017-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 森下泰之
Abstract: 提供一种可以具有抗噪声性和抗ESD性二者的半导体器件。该半导体器件包括：第一数字电路和第二数字电路；分别对应于第一数字电路和第二数字电路设置的第一接地电位线和第二接地电位线；第一模拟电路和第二模拟电路；分别对应于第一模拟电路和第二模拟电路设置的第三接地电位线和第四接地电位线；第一双向二极管组，设置在第一接地电位线和第二接地电位线之间；第二双向二极管组，设置在第三地电位线和第四地电位线之间；和第三双向二极管组，设置在第一接地电位线和第三接地电位线之间。第三双向二极管组中的双向二极管的级数大于包括在第一双向二极管组和第二双向二极管组中的每个双向二极管组中的双向二极管的级数。
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