公开(公告)号：CN104425531A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410415433.3

申请日：2014-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柏原庆一朗

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，具有后侧照射型结构的固态图像传感元件、以及将从光接收元件提供的电荷中的一些存储在其内的电容器元件具有进一步改善的可靠性。在半导体器件的图像传感元件中，第一衬底和第二衬底在接合表面处接合在一起。第一衬底形成有光电二极管。第二衬底形成有电容器元件。光电二极管和电容器元件彼此相对地布置。在第一衬底中，布置有用于耦合至第二衬底的第一耦合部。在第二衬底中，布置有用于耦合至第一衬底的第二耦合部。第一耦合部之间的第一间隙部与第二耦合部之间的第二间隙部以与第一阻光膜重叠的方式布置。

公开(公告)号：CN101140954B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200710167664.7

申请日：2007-07-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山口直 ,  柏原庆一朗 ,  奥平智仁 ,  堤聪明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/04 ,  H01L29/43 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明是即使在n沟道MISFET的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以实现截止漏电流难以增加的半导体器件。在源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的n沟道MISFET的沟道长度方向平行于半导体基板的结晶方向 设置。由于镍或镍合金的硅化物区域难以在结晶方向 的方向上延伸，所以即使在n沟道MISFET的源极和漏极上形成镍或镍合金的硅化物区域的情况下，也可以获得截止漏电流难以增加的半导体器件。

公开(公告)号：CN103258832B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201310059629.9

申请日：2013-02-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柏原庆一朗

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L23/544 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种允许以更小数目的步骤形成对准标记的半导体器件，该对准标记用于制造具有后侧照射结构的固态图像传感器(半导体器件)。该半导体器件包括：半导体层，具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面；多个光电二极管，形成于半导体层中并且在多个光电二极管中的每个光电二极管中执行光电转换；光接收透镜，设置于半导体层的第二主表面之上以向光电二极管中的每个光电二极管供应光；以及用于对准的标记，形成于半导体层内部。形成用于对准的标记以便从第一主表面朝着第二主表面延伸并且具有在朝着设置了光接收透镜的位置的方向上从第二主表面突出的突出部。

公开(公告)号：CN104425531B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201410415433.3

申请日：2014-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柏原庆一朗

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中，具有后侧照射型结构的固态图像传感元件、以及将从光接收元件提供的电荷中的一些存储在其内的电容器元件具有进一步改善的可靠性。在半导体器件的图像传感元件中，第一衬底和第二衬底在接合表面处接合在一起。第一衬底形成有光电二极管。第二衬底形成有电容器元件。光电二极管和电容器元件彼此相对地布置。在第一衬底中，布置有用于耦合至第二衬底的第一耦合部。在第二衬底中，布置有用于耦合至第一衬底的第二耦合部。第一耦合部之间的第一间隙部与第二耦合部之间的第二间隙部以与第一阻光膜重叠的方式布置。

公开(公告)号：CN103579269A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310319981.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柏原庆一朗

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法。提供了可抑制由处理中的化学品导致的腐蚀、同时防止在标记上产生热应力的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：具有正面主表面和与正面主表面相反的背面主表面的半导体层；在半导体层中形成的用于执行光电转换的多个受光元件；设置在背面主表面之上的用于向受光元件供给光的受光透镜；和在半导体层内形成的标记。标记从正面主表面延伸到背面主表面。标记具有向着正面主表面而不是向着背面主表面凹陷的深部表面。深部表面由硅形成。

公开(公告)号：CN103258832A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310059629.9

申请日：2013-02-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柏原庆一朗

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L23/544 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种允许以更小数目的步骤形成对准标记的半导体器件，该对准标记用于制造具有后侧照射结构的固态图像传感器(半导体器件)。该半导体器件包括：半导体层，具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面；多个光电二极管，形成于半导体层中并且在多个光电二极管中的每个光电二极管中执行光电转换；光接收透镜，设置于半导体层的第二主表面之上以向光电二极管中的每个光电二极管供应光；以及用于对准的标记，形成于半导体层内部。形成用于对准的标记以便从第一主表面朝着第二主表面延伸并且具有在朝着设置了光接收透镜的位置的方向上从第二主表面突出的突出部。