公开(公告)号：CN112820770A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110012100.6

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN112820770B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202110012100.6

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN105280690B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201510413155.2

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN105280690A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510413155.2

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/41725

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。