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公开(公告)号：CN116110967A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211305604.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L25/16 , H01L23/495 , H02M7/00 , H02M7/5387
Abstract: 一种半导体器件，包括具有非重叠区域的半导体芯片，在该非重叠区域中用于主晶体管的源焊盘和夹片彼此不重叠。此时，感测晶体管被布置在非重叠区域的区域中，该区域在平面图中位于夹片的第一部分与源焊盘的第一短边之间。
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公开(公告)号：CN108364942A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810072199.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，能够提高半导体器件的性能。半导体器件(PKG)是通过封固部(MR)将包含高压侧开关用的第1场效应晶体管的半导体芯片(CPH)、包含低压侧开关用的第2场效应晶体管的半导体芯片(CPL)、和包含分别控制半导体芯片(CPH、CPL)的电路的半导体芯片(CPC)封固而成的半导体器件。与成为第1场效应晶体管的源极用的半导体芯片(CPH)的焊盘(PDHS1)电连接的引线(LD2)、和与成为第2场效应晶体管的漏极用的半导体芯片(CPL)的背面电极电连接的引线(LD3)配置在俯视观察时的封固部(MR)的同一边上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895643A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310373035.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 下山浩哉
IPC: H01L23/544 , H01L27/088 , G01R19/00
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。感测MOSFET在平面图中形成在由主MOSFET和源极焊盘围绕的位置处，该源极焊盘连接到主MOSFET的源极区域。源极电位经由在平面图中由源极焊盘围绕的布线被提供给感测MOSFET的源极区域，场板电极与栅极电极一起形成在沟槽中，并且布线形成在源极焊盘外部。
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公开(公告)号：CN108364942B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810072199.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，能够提高半导体器件的性能。半导体器件(PKG)是通过封固部(MR)将包含高压侧开关用的第1场效应晶体管的半导体芯片(CPH)、包含低压侧开关用的第2场效应晶体管的半导体芯片(CPL)、和包含分别控制半导体芯片(CPH、CPL)的电路的半导体芯片(CPC)封固而成的半导体器件。与成为第1场效应晶体管的源极用的半导体芯片(CPH)的焊盘(PDHS1)电连接的引线(LD2)、和与成为第2场效应晶体管的漏极用的半导体芯片(CPL)的背面电极电连接的引线(LD3)配置在俯视观察时的封固部(MR)的同一边上。
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公开(公告)号：CN112768414A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011126718.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体装置。一种半导体装置包括：半导体芯片，该半导体芯片包括用于进行开关的场效应晶体管；裸片焊盘，半导体芯片经由第一键合材料被安装在该裸片焊盘上；引线，该引线通过金属板电连接到用于半导体芯片的源极的焊盘；引线耦合部，与引线一体地形成；以及用于密封它们的密封部。用于半导体芯片的漏极的背表面电极与裸片焊盘经由第一键合材料键合，金属板与用于半导体芯片的源极的焊盘经由第二键合材料键合，并且金属板与所引线耦合部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性，并且第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。
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公开(公告)号：CN109524390A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811090561.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置。增强了半导体装置的性能。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片，各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片，以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置。第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时，引线LD9与密封部分的边MRd4相交，并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。
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公开(公告)号：CN208938965U
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201821531176.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片，各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片，以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置。第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时，引线LD9与密封部分的边MRd4相交，并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。由此形成的半导体装置增强了半导体装置的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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