公开(公告)号：CN118974890A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094221.2

申请日：2022-03-31

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 金子智 ,  鸟越翔斗 ,  田村和幸 ,  长谷川裕也

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明的课题在于提供基于刀具的切断性优异的半导体加工用粘合带。其中，该课题通过如下的半导体加工用粘合带而得以解决，所述半导体加工用粘合带具有缓冲层、基材及粘合剂层依次层叠而成的层叠结构，且上述缓冲层满足下述要件(α)及下述要件(β)这两者。·要件(α)：上述缓冲层在23℃下的断裂能为15MJ/m3以上。·要件(β)：在温度23℃下将上述缓冲层供于拉伸试验时，从断裂应变(ε100)的80％的应变(ε80)增加至上述断裂应变(ε100)为止的应力的增加梯度Δρ80‑100为30MPa以上。

公开(公告)号：CN117015842A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280018387.6

申请日：2022-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田村和幸 ,  前田淳 ,  饭塚亮

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带，其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带，其中，在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下，以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对粘着胶带照射紫外线后的该粘着剂层的暴露面的粘附能为0.220J/m2以下。

公开(公告)号：CN113471130A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110241404.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小笠原孝文 ,  田村和幸

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种即使通过DBG等对具有凹凸的半导体晶圆进行减薄加工时也能充分追随晶圆的凹凸且能够抑制研磨后芯片产生裂纹的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片具有基材、且在基材的一个主面上依次具有中间层和粘着剂层；并满足下述(a)及(b)：(a)在1Hz频率下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为0.40以上0.65以下；(b)在1Hz频率下测定的50℃时的该粘着剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为0.80以上3.50以下。

公开(公告)号：CN116918039A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202180094836.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 坂东沙也香 ,  梅泽昌弘 ,  田村和幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层在23℃下与水的静态接触角为85°以上。

公开(公告)号：CN107078042B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201580055315.9

申请日：2015-10-21

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田村和幸 ,  奥地茂人

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  B32B27/18 ,  C09J7/25

Abstract: 本发明提供一种可抑制片材剥离后的晶圆弯曲，具有充分的抗静电性能的表面保护用片材。本发明的表面保护用片材，在进行表面形成有电路的半导体晶圆的背面研磨时使用，其中，该表面保护用片材具有：基材，其由抗静电涂层及支撑膜所构成，所述抗静电涂层含有无机导电性填料与固化性树脂(A)的固化物；及粘着剂层。在延展10％时经过1分钟后的基材的应力松弛率为60％以上，基材的杨氏模量为100～2000MPa。

公开(公告)号：CN106794684B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201580055158.1

申请日：2015-10-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 布施启示 ,  田村和幸 ,  奥地茂人

IPC: B32B27/30 ,  B32B27/18 ,  C09J7/25 ,  C09J7/50 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的表面保护片用基材具备支撑膜、以及设置于该支撑膜的一面的防静电层，其中，所述表面保护片用基材的应力松弛率为60％以上，所述防静电层是使含有固化性成分及金属填料的防静电层形成用组合物固化而形成的，相对于所述固化性成分和金属填料的总质量，所述金属填料为55质量％以上，且所述固化性成分含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

公开(公告)号：CN117413350A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280039290.3

申请日：2022-03-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田村和幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，也可抑制剥离时芯片产生裂纹，并充分抑制加工晶圆时所产生的静电的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片具有：基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，将能量射线固化后的粘着剂层以剥离速度为600mm/分且粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式从硅晶圆上剥离时的粘着力为0.035N/25mm以上且小于0.15N/25mm。

公开(公告)号：CN117099185A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202280025134.1

申请日：2022-01-11

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 长谷川裕也 ,  田村和幸

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种在制造使用了具有缓冲层的半导体加工用粘着胶带的芯片时，抑制崩裂的产生。其解决手段为本发明的半导体加工用粘着胶带10，其为具有基材11、设置于该基材11的一面侧的缓冲层13及设置于该基材11的另一面侧的粘着剂层12的粘着胶带，其特征在于，对于加热到60℃的缓冲层，将前端曲率半径为100nm及棱间角为115°的三角锥状压头的前端以10μm/分钟的速度压入该缓冲层时压缩载荷达到2mN所需的压入深度(Z)为3.0μm以下。

公开(公告)号：CN116890299A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310174684.6

申请日：2023-02-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 田村和幸

IPC: B24B37/34 ,  B24B37/10 ,  B24B1/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种能够减小工件在背面研磨后的TTV的工件加工用保护片。所述工件加工用保护片具有支撑材料和配置于支撑材料的一个主面上的粘着剂层，其中，支撑材料的另一个主面构成工件加工用保护片的最表面，工件加工用保护片的最表面与目数为1200目的砂纸的动摩擦系数为1.40以下，支撑材料的拉伸断裂应力为250MPa以下。

公开(公告)号：CN115873524A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211183306.6

申请日：2022-09-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 梅泽昌弘 ,  坂东沙也香 ,  田村和幸

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J175/14 ,  C09J11/06 ,  C09D153/02 ,  C09D123/14 ,  C09D183/07 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及其制造方法、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是由含有有机硅化合物的表面涂层形成用组合物形成的层。