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公开(公告)号：CN118721016A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410200603.X
申请日：2024-02-23
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使承受多次热历史其变形量也少，且变形量在一定范围内的工件加工用保护片。所述工件加工用保护片具有基材、设置于该基材的至少一面侧的缓冲层、及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，在进行该工件加工用保护片的热机械分析时，第一次加热至50℃时的变形比例Df1为0.67％以内，第一次加热时的变形比例Df1与第二次加热至50℃时的变形比例Df2之差的绝对值为0.067％以内。
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公开(公告)号：CN114599755A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202180006067.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
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公开(公告)号：CN115210075B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202180007066.1
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , B32B27/28 , C08L31/04 , C08L83/04 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片的制造方法，该半导体装置制造用片依次层叠有基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及第二剥离膜，该制造方法包括：针对具备中间层、膜状粘合剂及第一剥离膜的第二中间层叠体，去除中间层及膜状粘合剂的至少一部分，得到第二中间层叠体加工物的第一加工工序；将具备基材及粘着剂层的第一中间层叠体与第二中间层叠体加工物贴合，得到第一层叠物的层叠工序；剥离第一层叠物的第一剥离膜，更换粘贴第二剥离膜，得到第二层叠物的更换粘贴工序；及针对第二层叠物，去除基材及粘着剂层的至少一部分，得到半导体装置制造用片的第二加工工序，第一剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力大于第二剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力。
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公开(公告)号：CN117916867A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280059355.0
申请日：2022-07-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/301
Abstract: 一种热固性膜，其具备所述热固性膜的固化物、设置在所述固化物的一个面的整个面上的铜板、及设置在所述固化物的另一个面的整个面上的硅芯片而构成的第一试验片的剪切强度为100N/2mm□以上，测定在5℃下将所述热固性膜保存168小时而得到的第二试验片的温度为90℃时的熔融粘度V0、并测定在40℃下将所述热固性膜保存504小时而得到的第三试验片的温度为90℃时的熔融粘度V1时，使用所述V1及V0而计算出的所述热固性膜的熔融粘度上升率VR为600％以下。
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公开(公告)号：CN117645844A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311120811.0
申请日：2023-09-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , H01L21/304 , H01L21/30 , H01L21/683 , C09J7/30 , C09J4/06 , C09J4/02 , C09D4/06 , C09D4/02 , C09D7/62 , C09D175/16
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层含有苯乙烯类树脂，所述苯乙烯类树脂中的源自苯乙烯类化合物的结构单元的含量为50质量％以上。
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公开(公告)号：CN117645845A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311120838.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J4/06 , C09J4/02 , C09D4/06 , C09D4/02 , C09D7/62 , C09D175/16 , H01L21/304 , H01L21/30 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片、以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层是含有树脂成分和经过了疏水化处理的二氧化硅的层。
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公开(公告)号：CN109791887B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780061254.6
申请日：2017-09-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种第一保护膜形成用片，其具备第一基材、形成于第一基材上的缓冲层以及形成于缓冲层上的固化性树脂膜，将缓冲层及固化性树脂膜分别制作成直径为8mm、厚度为1mm的试验片，以90℃、1Hz的条件使这些试验片发生应变，进行测定这些试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时，缓冲层的试验片的应变为300％时的缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb300’与固化性树脂膜的试验片的应变为300％时的固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc300’满足Gb300’≥Gc300’的关系。
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公开(公告)号：CN108243615A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201780003713.5
申请日：2017-01-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工片，其具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层，其特征在于，基材膜含有氯乙烯类树脂和作为增塑剂的己二酸酯类增塑剂及对苯二甲酸酯类增塑剂，在基材膜中，己二酸酯类增塑剂的含量相对于己二酸酯类增塑剂及对苯二甲酸酯类增塑剂的合计含量的质量比率为50～80质量％。根据该半导体加工片，虽然使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为增塑剂，但也能够显示充分的柔软性、且能够在从被粘着物上剥离时抑制残渣物的产生。
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公开(公告)号：CN114599755B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202180006067.4
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片，其具备贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。
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公开(公告)号：CN115210075A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180007066.1
申请日：2021-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , B32B27/28 , C08L31/04 , C08L83/04 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用片的制造方法，该半导体装置制造用片依次层叠有基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及第二剥离膜，该制造方法包括：针对具备中间层、膜状粘合剂及第一剥离膜的第二中间层叠体，去除中间层及膜状粘合剂的至少一部分，得到第二中间层叠体加工物的第一加工工序；将具备基材及粘着剂层的第一中间层叠体与第二中间层叠体加工物贴合，得到第一层叠物的层叠工序；剥离第一层叠物的第一剥离膜，更换粘贴第二剥离膜，得到第二层叠物的更换粘贴工序；及针对第二层叠物，去除基材及粘着剂层的至少一部分，得到半导体装置制造用片的第二加工工序，第一剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力大于第二剥离膜与膜状粘合剂之间的剥离力。
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