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公开(公告)号：CN112802924B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110039924.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 清华大学(CN)
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种铜钾锌锡硫吸收层的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明直接利用铜钾锌锡硫靶材经真空磁控溅射制备铜钾锌锡硫吸收层预制层，再经退火即可得到铜钾锌锡硫吸收层吸收层，钾元素分布均匀，操作简单，工艺稳定性高，生产成本低。具体的，与现有技术相比，本发明提供的方法减少了溅射后沉积KF的步骤，同时K元素能够均匀分布于最终所得铜钾锌锡硫吸收层吸收层中，K元素钝化缺陷、促进晶粒生长的优势得以在整个铜钾锌锡硫吸收层中均匀体现。
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公开(公告)号：CN108468027A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810261996.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。
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公开(公告)号：CN112877661A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110039957.7
申请日：2021-01-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种改性铜锌锡硫靶材及其制备方法和应用，属于光电材料技术领域。本发明提供的改性铜锌锡硫靶材，化学组成上表示为Cux(Zn,Ca)ySn2‑yS4或Cux(Ba,Zn)ySn2‑yS4，所述Cux(Zn,Ca)ySn2‑yS4和Cux(Ba,Zn)ySn2‑yS4中的x独立地为1.2～2.0，y独立地为0.8～1.4，所述Ca和Ba的原子百分比独立地为0.005～10％。本发明以Ca元素或Ba元素替位部分Zn元素，可以得到高温性能更稳定的铜锌钙锡硫靶材或铜钡锌锡硫靶材。
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公开(公告)号：CN112802924A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110039924.2
申请日：2021-01-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了一种铜钾锌锡硫吸收层的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明直接利用铜钾锌锡硫靶材经真空磁控溅射制备铜钾锌锡硫吸收层预制层，再经退火即可得到铜钾锌锡硫吸收层吸收层，钾元素分布均匀，操作简单，工艺稳定性高，生产成本低。具体的，与现有技术相比，本发明提供的方法减少了溅射后沉积KF的步骤，同时K元素能够均匀分布于最终所得铜钾锌锡硫吸收层吸收层中，K元素钝化缺陷、促进晶粒生长的优势得以在整个铜钾锌锡硫吸收层中均匀体现。
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公开(公告)号：CN108468027B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810261996.X
申请日：2018-03-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。
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