公开(公告)号：CN112802924B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110039924.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 清华大学(CN)

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  任国铵 ,  王晨 ,  李羽娴 ,  董梁正 ,  陶圣叶 ,  仝浩 ,  王汉鹏

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明提供了一种铜钾锌锡硫吸收层的制备方法，属于光电材料制备技术领域。本发明直接利用铜钾锌锡硫靶材经真空磁控溅射制备铜钾锌锡硫吸收层预制层，再经退火即可得到铜钾锌锡硫吸收层吸收层，钾元素分布均匀，操作简单，工艺稳定性高，生产成本低。具体的，与现有技术相比，本发明提供的方法减少了溅射后沉积KF的步骤，同时K元素能够均匀分布于最终所得铜钾锌锡硫吸收层吸收层中，K元素钝化缺陷、促进晶粒生长的优势得以在整个铜钾锌锡硫吸收层中均匀体现。