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公开(公告)号：CN118282751A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410431631.2
申请日：2024-04-11
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种基于软件交换机内核运行特征的网络攻击检测方法，所述方法包括：通过在软件交换机进行网络管理与数据包转发过程中采集软件交换机关键内核函数的运行特征数据，所述软件交换机内核运行特征数据能够反映网络细粒度运行状态的特征数据；对软件交换机内核运行特征数据进行预处理；将预处理后的软件交换机内核运行特征数据输入至预先训练好的攻击检测模型从而检测网络中潜在的攻击行为。本发明方法适用于所有适用软件交换机的应用场景，特别是软件定义网络以及基于软件定义网络的云数据中心、工业互联网、5G、边缘计算等应用场景，能够实现对网络中潜在异常与攻击行为更为准确、及时的检测与预警。
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公开(公告)号：CN116074271A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310097140.4
申请日：2023-02-10
IPC: H04L49/55 , H04L49/60 , H04L43/08 , H04L43/0811 , H04L41/0659
Abstract: 本发明公开了一种基于P4的SDN数据平面快速自主故障检测与恢复方法。该方法面向软件定义网络以及基于软件定义网络的云数据中心、工业互联网、5G、边缘计算等应用场景，针对网络数据平面故障即链路故障和交换机故障，通过利用P4技术所带来的可编程的、带状态的数据平面，分别实现了在不依赖于控制平面的情况下快速、自主的故障检测与恢复，克服了传统基于软件定义网络OpenFlow技术的同类故障检测与恢复方法存在的诸多问题。
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公开(公告)号：CN110708287A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910828610.3
申请日：2019-09-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于攻击图和心理理论的入侵响应方法，该方法通过攻击图来模拟攻击者入侵网络时的每一步动作，分析攻击者的攻击心理可以推测下一时刻攻击者采取某个动作的概率，在网络攻防博弈中为了最大化收益值，防御者根据推测出的攻击者行为制定出相应的响应措施，从而提供实时的网络响应。与传统的IDS alerts映射响应动作的方法相比，本发明在面临多步复杂的入侵检测时实时调整响应策略，具有实时响应、高效防护的特点。
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公开(公告)号：CN107438066A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710478208.8
申请日：2017-06-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H04L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SDN控制器的DoS/DDoS攻击防御模块及方法，该DoS/DDoS攻击防御模块维护一个计数器，其记录了过去n秒钟里SDN控制器收到的数据包的数量，并设置了两个阈值，即一级阈值和二级阈值，二级阈值大于一级阈值，当计数器小于一级阈值时，数据包会被传递给默认的处理模块处理，而当计数器超过一级阈值时，则意味者DoS/DDoS攻击的发生，则数据包首先经过DoS/DDoS攻击防御模块进行过滤，此时控制器进入防御模式；当每秒钟接收数据包的数量超过二级阈值时，则意味着发生了更强的DoS/DDoS攻击。该模块可以有效过滤恶意攻击数据包，并保证正常数据包的通信，使得该模块可以在一定程度上抵御针对SDN控制器的DoS/DDoS攻击。
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公开(公告)号：CN103778992B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410011279.3
申请日：2014-01-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种基于铜氨络合物的铜浆料及其制备方法，还提供一种利用该浆料制备铜薄膜的方法。本发明中以铜片为正极和负极电解氨水与有机酸的混合溶液得到铜氨络合物溶液后进行蒸发结晶，将蒸发结晶得到的铜氨络合物与粘结剂加入有机溶剂进行球磨得到铜浆料，该铜浆料由铜氨络合物、有机溶剂和粘结剂组成，其中铜氨络合物的质量百分比为20％～40％，有机溶剂的质量百分比为55％～75％，粘结剂的质量百分比为5％～15％，将铜浆料在衬底上成膜后在160～200℃环境下烧结，即得到铜薄膜。本发明的铜浆料和铜薄膜的生产工艺简单，且采用低温烧结法制备铜薄膜，适用于多种衬底，且能耗小，成本低，容易实现产业化生产，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103778992A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410011279.3
申请日：2014-01-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种基于铜氨络合物的铜浆料及其制备方法，还提供一种利用该浆料制备铜薄膜的方法。本发明中以铜片为正极和负极电解氨水与有机酸的混合溶液得到铜氨络合物溶液后进行蒸发结晶，将蒸发结晶得到的铜氨络合物与粘结剂加入有机溶剂进行球磨得到铜浆料，该铜浆料由铜氨络合物、有机溶剂和粘结剂组成，其中铜氨络合物的质量百分比为20％～40％，有机溶剂的质量百分比为55％～75％，粘结剂的质量百分比为5％～15％，将铜浆料在衬底上成膜后在160～200℃环境下烧结，即得到铜薄膜。本发明的铜浆料和铜薄膜的生产工艺简单，且采用低温烧结法制备铜薄膜，适用于多种衬底，且能耗小，成本低，容易实现产业化生产，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101710784B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910156955.5
申请日：2009-12-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 本发明公开了一种极低电压工作的电荷泵电路，包括由第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管和第四P型MOS管构成的共源共体的体驱动电流镜，第一运算放大器以及第二运算放大器。其中第二N型MOS管和第四N型MOS管既实现了下拉电流管的功能，又实现了下拉MOS管的功能；第二P型MOS管和第四P型MOS管既实现了上拉电流管的功能，又实现了上拉MOS管的功能；从而实现MOS开关功能与电流镜功能的并联关系。通过两个运算放大器实现增益提高的目的，即使在低电源电压下，也能使共源共体电流镜的输出电阻增加。
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公开(公告)号：CN100557483C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200810060349.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振无关磁光波导光隔离器。输入Y分叉波导分别接两个干涉臂的一端，在两个干涉臂之间填充第一层磁光薄膜，第一层磁光薄膜的上表面覆盖第二层磁光薄膜和第三层磁光薄膜，第二层磁光薄膜还覆盖在一个干涉臂的上表面，第三层磁光薄膜还覆盖在另一个干涉臂的上表面，两个干涉臂的另一端再与输出Y分叉波导连接，第一、二层磁光薄膜是回转矢量γ＜0的磁光薄膜，第三层磁光薄膜是回转矢量γ＞0的磁光薄膜，外加磁场方向与光传播方向垂直且与基片平面成(30°～60°)的角度。它利用了磁光非互易特性和所设计波导结构的偏振无关特性。本发明结构紧凑，工艺简单，设计灵活，功能性强等特点，可在光网络、光信息处理等方面应用。
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公开(公告)号：CN100458479C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200710156023.1
申请日：2007-10-09
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振环辅助的MZ干涉结构的光学隔离器。MZ干涉结构由两个并列干涉臂的两端共连接着一个输入波导和一个输出波导而成；其中一个干涉臂与一个以上的谐振环发生耦合，另一个干涉臂含有一段延时线，在整个谐振环辅助的MZ干涉结构中植入，光波在其中按前进和后退方向传输时相位延迟量不同的非互易相移波导。它利用了磁光波导的非互易特性，并发挥了谐振环辅助的MZ干涉结构的通带平坦等优点，通过对结构参数的合理设计和优化，可以实现对多路频率的光波同时进行处理。本发明具有结构通俗，工艺简单，设计灵活，功能性强等特点，在光波分复用网络、光双向网络、光信息处理等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101261342A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810060647.8
申请日：2008-04-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种多模干涉型六端环形器。将第一个矩形多模波导的一端通过第一、二、三个锥形波导分别过渡连接到第一、二、三个接入波导，第一个矩形多模波导的另一端通过第四、五、六个锥形波导分别过渡连接到两根非互易中间波导和互易中间波导的一端；两根非互易中间波导和互易中间波导的另一端通过第七、八、九个锥形波导分别过渡连接到第二个矩形多模波导的一端；第二个矩形多模波导的另一端通过第十、十一、十二个锥形波导分别过渡连接到第四、五、六个接入波导。它利用多模波导的多模干涉产生重叠成像原理，在三像点处引出干涉臂，并引入非互易相移。本发明结构简单、端口数多，隔离度高，频带宽且易于集成，可在光网络、光信息处理中应用。
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