公开(公告)号：CN109570500A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201910043108.1

申请日：2019-01-17

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  王志 ,  李庆刚

IPC: B22F3/04 ,  B22F3/10 ,  B22F3/03 ,  C22C1/05 ,  C22C29/12 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明公开了一种制备层状钛/氧化铝复合材料的工艺。该工艺过程先采用电动压片机预压制成型，再用冷等静压机进一步成型，烧结过程中通入氩气保护气氛，得到的样品比传统的无压烧结方法具有更高的致密度和弯曲强度，其相对密度和弯曲强度分别得到81.7%，183.85MPa。

公开(公告)号：CN107498057A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710604050.4

申请日：2017-07-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  吴昊

IPC: B22F7/02 ,  B22F3/14

CPC classification number: B22F7/02 ,  B22F3/14 ,  B22F2998/10 ,  B22F2009/043 ,  B22F2003/145

Abstract: 本发明公开了一种层状铝碳化硼复合材料及其制备方法，包括分布在中轴面一侧的n层层状结构，以及，对称分布在中轴面另一侧的n层层状结构，n≥2；层状结构由铝粉和碳化硼粉制成，按照原料的体积百分比计，层状结构中铝粉的含量由内向外逐层递增，由50vol.%递增至100vol.%；碳化硼粉的含量由内向外逐层递减，由50vol.%递减至0vol.%；中轴面两侧原料变化一致。该层状铝碳化硼复合材料当外层遭到破坏，这种变形也会扩大裂纹的传播路径，吸收更多的断裂能，从而保证了材料整体的强度和韧性。

公开(公告)号：CN106115679A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610513161.X

申请日：2016-07-04

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  栗媛媛 ,  刘美佳 ,  徐菡卿

IPC: C01B31/04

CPC classification number: C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04

Abstract: 本发明属于石墨烯制备的技术领域，具体涉及到一种低成本制备石墨烯的方法。本发明综合了液相剥离和机械球磨制备石墨烯的优点，首先在有机溶剂中对石墨粉进行超声剥离，使石墨中原子之间的层间距变大，范德华力减弱，然后再利用行星式球磨机对剥离的石墨粉进行湿法快速高能球磨，利用研磨球对石墨施加的剪切力使石墨层层剥离成石墨烯。本发明中采用的石墨来源广泛，有机溶剂也为工业常用溶剂，成本低廉，且操作过程简易,可用于大规模生产。

公开(公告)号：CN109369194B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201811331959.8

申请日：2018-11-09

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  王志 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: H01B3/10 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B38/00 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β‑Si3N4的转化率，在浆料中添加硼化锆促进α‑Si3N4向β‑Si3N4的转化，可以形成高长径比β‑Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架，提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低，工艺简单，所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%，介电常数3.3±0.1，抗弯性能在99.89～131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。

公开(公告)号：CN109650852A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811608753.5

申请日：2018-12-27

Applicant: 济南大学

Inventor： 于金满 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  吴昊 ,  张柳

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅|氧化铝复相陶瓷的制备方法，属于复相陶瓷的制备领域。本发明采用纳米级碳化硅粉和微米级氧化铝粉为原料，首先称取若干组分的原料，混合后以无水乙醇为分散介质，高纯氧化铝球为磨球进行球磨混料。将混合后的料浆在冷冻干燥机中冷干燥，再将干燥后的粉体研磨并过筛，获得混合均匀的粉料，将其装在石墨模具内，使用真空热压炉烧结，制备出圆饼状碳化硅|氧化铝复相陶瓷。该方法的制备工艺操作简便，所制备的碳化硅|氧化铝复相陶瓷，具有相对密度高，弯曲强度高，断裂韧性好，维氏硬度高等优点，且分别超过99.47%，507.82 MPa，4.75 MPa·m1/2，1824.96 Hv。

公开(公告)号：CN107498057B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710604050.4

申请日：2017-07-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  王志 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  吴昊

IPC: B22F7/02 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明公开了一种层状铝碳化硼复合材料及其制备方法，包括分布在中轴面一侧的n层层状结构，以及，对称分布在中轴面另一侧的n层层状结构，n≥2；层状结构由铝粉和碳化硼粉制成，按照原料的体积百分比计，层状结构中铝粉的含量由内向外逐层递增，由50vol.%递增至100vol.%；碳化硼粉的含量由内向外逐层递减，由50vol.%递减至0vol.%；中轴面两侧原料变化一致。该层状铝碳化硼复合材料当外层遭到破坏，这种变形也会扩大裂纹的传播路径，吸收更多的断裂能，从而保证了材料整体的强度和韧性。

公开(公告)号：CN109369194A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811331959.8

申请日：2018-11-09

Applicant: 济南大学

Inventor： 张柳 ,  李庆刚 ,  史国普 ,  吴俊彦 ,  王志 ,  黄世峰 ,  程新

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B38/00 ,  C04B41/00

Abstract: 本发明公开了一种通过微观结构调控制备低介电、高强度的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：凝胶的制备、坯体成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明为了提高β-Si3N4的转化率，在浆料中添加硼化锆促进α-Si3N4向β-Si3N4的转化，可以形成高长径比β-Si3N4柱状晶相互搭接构成多孔氮化硅陶瓷的孔隙骨架，提高了其强度。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备工艺成本低，工艺简单，所制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、低介电常数且力学性能好。孔隙率在≥50%，介电常数3.3±0.1，抗弯性能在99.89～131.67MPa。最终多孔氮化硅陶瓷微观结构如附图。

公开(公告)号：CN105296779A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510627800.0

申请日：2015-09-28

Applicant: 济南大学

Inventor： 刘美佳 ,  王志 ,  吴俊彦 ,  李庆刚 ,  张柳 ,  徐菡卿

IPC: C22C1/05 ,  C04B35/10

Abstract: 本发明公开了一种钛/氧化铝界面反应控制和优化的方法，氧化铝与氧化铈以10：(0.40~0.47)的质量比，或者氧化铝与氧化钇以10：(0.21~0.28)的质量比混合，以粉末包裹法制得钛/氧化铝试样生坯，采用真空热压烧结技术，1350℃的烧结温度下，以5℃/min(0-1200℃)和10℃/min(0-1200℃)的速率升温，并在最高温度时加压30MPa并保温1.5h，得样品。利用SEM，EDS和XRD分析方法，测试在1350℃下钛/氧化铝界面反应层的厚度，微观形貌和物相组成，可发现有氧化铈或氧化钇添加时，界面反应在一定程度上被控制，界面结构得到优化，方法简单，为控制钛/氧化铝界面反应提供了依据。