一种功率器件的退饱和保护电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119050962A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411220803.8

    申请日:2024-09-02

    Abstract: 本发明电路保护技术领域,公开了一种功率器件的退饱和保护电路。该电路包括:第一比较器,用于检测功率器件的栅极电压是否大于第一预设电压;第二比较器,用于检测由功率器件的发射极自感和集电极电流的变化而产生的发射极寄生电感电压是否大于第二预设电压;第一比较器检测到检测到栅极电压大于第一预设电压的时刻早于第二比较器检测到发射极寄生电感电压大于第二预设电压的时刻;退饱和检测模块,用于在栅极电压大于第一预设电压且发射极寄生电感电压大于第二预设电压的情况下,检测功率器件的集电极电压是否大于第三预设电压,若是,则确定功率器件发生短路故障,通过控制功率器件关断,来有效完成功率器件的退饱和短路保护。

    一种基于键合工艺的基板布局结构

    公开(公告)号:CN119069446A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411198469.0

    申请日:2024-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于键合工艺的基板布局结构,属于半导体封装以及功率模块技术领域,采用绝缘金属基板代替传统DBC基板,采用绝缘金属基板相对于DBC基板去掉了基板与底板之间的焊料层、去掉了底板,并在绝缘金属基板的上铜层设置过渡块。通过对绝缘金属基板中树脂绝缘层进行设计,保证热膨胀系数接近铜的同时提高导热绝缘性能,平衡了基板各部分的热膨胀系数,避免多块DBC基板之间需要采用键合线进行连接,省去了此部分的键合工艺,降低模块寄生电感。同时在过渡区域实现有难度的键合工艺,且增加过渡区域基本不会破坏基板原有电路的布局,可根据实际键合线数量和键合方式灵活调整其位置与大小,从而实现良好键合,提高功率模块的可靠性。

    一种多工位平行缝焊管壳固定装置

    公开(公告)号:CN115283918B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202210909838.7

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本申请涉及一种多工位平行缝焊管壳固定装置,用于固定管壳,包括本体、按压机构和上压盖;本体上设置有多个安装工位,每个安装工位相对的两侧设置有用于供引脚插入的容纳槽;按压机构包括第一压紧部和第二压紧部;当管壳处于固定状态时,第一压紧部压紧所述管壳一侧引脚的上部,第二压紧部压紧所述管壳另一侧引脚的上部;上压盖覆盖于所述本体上且与本体活动配合,用于控制所述压紧机构压紧或松开引脚,所述上压盖上设置有多个与安装工位对应的工位槽,工位槽穿透所述上压盖上下两面用于供所述管壳露出;还包括用于将所述上压盖锁紧于本体上,限制上压盖活动的锁紧件。本申请具有减小对管壳的损伤,保证焊接密封效果的优点。

    一种多工位平行缝焊管壳固定装置

    公开(公告)号:CN115283918A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210909838.7

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本申请涉及一种多工位平行缝焊管壳固定装置,用于固定管壳,包括本体、按压机构和上压盖;本体上设置有多个安装工位,每个安装工位相对的两侧设置有用于供引脚插入的容纳槽;按压机构包括第一压紧部和第二压紧部;当管壳处于固定状态时,第一压紧部压紧所述管壳一侧引脚的上部,第二压紧部压紧所述管壳另一侧引脚的上部;上压盖覆盖于所述本体上且与本体活动配合,用于控制所述压紧机构压紧或松开引脚,所述上压盖上设置有多个与安装工位对应的工位槽,工位槽穿透所述上压盖上下两面用于供所述管壳露出;还包括用于将所述上压盖锁紧于本体上,限制上压盖活动的锁紧件。本申请具有减小对管壳的损伤,保证焊接密封效果的优点。

    一种磁热分布均衡控制方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN118282059A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410371905.3

    申请日:2024-03-29

    Abstract: 本申请公开了磁热分布均衡控制方法、装置及相关设备。该方法应用于WPT技术领域,该方法包括利用磁热耦合模型获取无线电能传输系统的磁芯上的磁热分布情况,判断磁热分布情况是否是磁芯的中心磁热低,且四周磁热高,若是,基于预设的磁热分布均衡原则构建磁热分布均衡线圈,利用磁热分布均衡线圈,控制磁芯上的磁热分布均衡。上述方案,能够缓解磁芯磁热不均。

    一种制备三水碳酸镁晶须的高附加值闭环工艺

    公开(公告)号:CN115369473B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202211185289.X

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明提供了一种制备三水碳酸镁晶须的高附加值闭环工艺,所述工艺包括:(1)将二氧化碳气体通入双极膜电渗析装置系统,反应后得到碱性反应溶液;(2)混合含镁原料与步骤(1)所得碱性反应溶液,搅拌反应后进行固液分离得到固体产品和母液;(3)将步骤(2)所得固体产品依次进行洗涤和干燥后得到三水碳酸镁晶须;(4)预处理步骤(2)所得母液,而后回用至双极膜电渗析装置中。本发明利用双极膜电渗析电解水产生的碱液原位吸收温室气体CO2;再经过含镁原料进一步矿化离子化的CO2,获得高附加值的三水碳酸镁晶须,成功地实现了CO2气体的吸收和矿化固定,并使价廉含镁原料转化为高值三水碳酸镁,形成闭环工艺,绿色环保。

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