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公开(公告)号:CN108231666A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201711275244.0
申请日:2017-12-06
Applicant: 格芯公司
Inventor: V·萨尔德赛 , W·亨森 , 都米葛·费瑞尔·路毕 , S·艾伦 , 艾瑞·阿尔特金
IPC: H01L21/768 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/62 , H01L21/76804 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5228 , H01L23/5283 , H01L23/53252
Abstract: 本发明涉及集成电子熔丝,其中,一种半导体装置包括位于互连结构上方并横向偏离该互连结构的金属薄膜例如eFUSE或精密电阻器。第一介电层设于该互连结构上方以及可选地于该金属薄膜下方,并用以在图案化该金属薄膜期间防止蚀刻该互连结构。穿过设于该金属薄膜上方及该互连上方的第二介电层建立至该金属薄膜及该互连的接触。