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公开(公告)号：CN106856180B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
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公开(公告)号：CN104465549B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本申请公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
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公开(公告)号：CN105047653A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510405002.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。
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公开(公告)号：CN104992934A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510284780.1
申请日：2015-05-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件子模组，包括：导电组件，导电组件包括第一导电体，与第一导电体相对设置的第二导电体，以及叠置于第一导电体与第二导电体之间的芯片，容纳导电组件的夹持组件，夹持组件能向第一导电体以及第二导电体施加沿叠置方向的夹持力。通过使用这种功率半导体器件子模组能防止芯片与第一导电体和第二导电体发生错位。
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公开(公告)号：CN105679750B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201410661590.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSFET）芯片的集电极（漏极）烧结在下钼片上上钼片烧结在IGBT（或MOSFET）芯片的发射极（源极）上。PCB设置在下钼片上或底座上，IGBT（或MOSFET）芯片的栅极通过引线键合方式互连至PCB上，并通过PCB的内部线路汇集至栅极引出端。本发明能够有效地解决现有压接式半导体模块制作方法过于复杂，压接过程中芯片受到的应力大，绝缘性能较差的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106856180A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
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公开(公告)号：CN104992932A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274433.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块。该绝缘衬板包括：含有多个绝缘板的层叠体，在相邻绝缘板之间设置有金属层，多个绝缘板中的每一个均大于与之相邻的两个金属层的面积。在使用本发明的绝缘衬板时，在金属层与绝缘衬板的界面处的电场集中的问题很小，从而避免影响绝缘衬板以及使用这种绝缘衬板的芯片的使用。
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公开(公告)号：CN104465549A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
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公开(公告)号：CN104134648A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN104992932B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510274433.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块。该绝缘衬板包括：含有多个绝缘板的层叠体，在相邻绝缘板之间设置有金属层，多个绝缘板中的每一个均大于与之相邻的两个金属层的面积。在使用本发明的绝缘衬板时，在金属层与绝缘衬板的界面处的电场集中的问题很小，从而避免影响绝缘衬板以及使用这种绝缘衬板的芯片的使用。
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