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公开(公告)号：CN105206557B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510535381.8
申请日：2015-08-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。
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公开(公告)号：CN105206557A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510535381.8
申请日：2015-08-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。
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公开(公告)号：CN102214686A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110107686.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法，广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括：以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环，扇区与同心圆环相交处为图形单元，分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧排布，每圈梳条的外边线为圆弧，且梳条的朝向均平行于扇区的中心线，相邻的两个扇区之间留有门极快捷通道。将按上述设计的光刻掩膜版通过光刻加工，把阴极图形转移到芯片的表面，最终完成制作。该阴极图形及其梳条图形排布方法提高了芯片的有效面积利用率，提高了各梳条开通/关断的均匀性，有利于平衡距离门极电极远近带来的梳条开通/关断差异，便于加工成型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106919015A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510985299.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544
CPC classification number: G03F9/7073 , H01L23/544 , H01L2223/54426
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。
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公开(公告)号：CN106919015B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510985299.5
申请日：2015-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G03F9/00 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。
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公开(公告)号：CN102214686B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110107686.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法，广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括：以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环，扇区与同心圆环相交处为图形单元，分布在扇区内并位于同一圆环内的梳条沿圆环的圆弧排布，每圈梳条的外边线为圆弧，且梳条的朝向均平行于扇区的中心线，相邻的两个扇区之间留有门极快捷通道。将按上述设计的光刻掩膜版通过光刻加工，把阴极图形转移到芯片的表面，最终完成制作。该阴极图形及其梳条图形排布方法提高了芯片的有效面积利用率，提高了各梳条开通/关断的均匀性，有利于平衡距离门极电极远近带来的梳条开通/关断差异，便于加工成型。
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公开(公告)号：CN101634814B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910166484.6
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统，其中，所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔，用于容置晶圆片，所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度；所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线，所述装置上的标记线与光刻板上的标记线在原始对中时重合。本发明的原始对中装置和系统在容置晶圆片的第一圆槽孔外和光刻板上都设置有标记线，通过将第一圆槽孔外的标记线与光刻板上的标记线对准，实现晶圆片和光刻板上图案的良好原始对中，改善原始对中同心度。
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公开(公告)号：CN101634814A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910166484.6
申请日：2009-08-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统，其中，所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔，用于容置晶圆片，所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度；所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线，所述装置上的标记线与光刻板上的标记线在原始对中时重合。本发明的原始对中装置和系统在容置晶圆片的第一圆槽孔外和光刻板上都设置有标记线，通过将第一圆槽孔外的标记线与光刻板上的标记线对准，实现晶圆片和光刻板上图案的良好原始对中，改善原始对中同心度。
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