公开(公告)号：CN106919015A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201510985299.5

申请日：2015-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  陈辉 ,  宋里千 ,  程银华 ,  刘鹏飞 ,  郭可

IPC: G03F9/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: G03F9/7073 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。

公开(公告)号：CN106919015B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201510985299.5

申请日：2015-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 岳金亮 ,  陈辉 ,  宋里千 ,  程银华 ,  刘鹏飞 ,  郭可

IPC: G03F9/00 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工艺对准层之后，对工艺对准层进行匀光刻胶之前，在工艺对准层上形成二次对准标记的步骤。本发明能够解决现有半导体器件制作工艺由于半导体器件制成结构复杂以致很多层在曝光时标记变得不清晰难以识别的技术问题，能优化具有台阶但难以识别的标记信号，而且实施步骤简单易行。

公开(公告)号：CN105206557B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201510535381.8

申请日：2015-08-28

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈辉 ,  宋里千 ,  程银华 ,  郭可 ,  刘鹏飞 ,  岳金亮

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。

公开(公告)号：CN105206557A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510535381.8

申请日：2015-08-28

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈辉 ,  宋里千 ,  程银华 ,  郭可 ,  刘鹏飞 ,  岳金亮

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工艺，形成光刻对准标记本体；在所述光刻对准标记本体上，形成绝缘层；通过第二次光刻工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成覆盖所述光刻对准标记本体的保护膜，得到所需的光刻对准标记。