公开(公告)号：CN101217108B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810000173.8

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 黄建伟 ,  刘国友 ,  邹冰艳 ,  李世平 ,  潘昭海

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种芯片台面腐蚀装置，主要包括隔片和芯片架；所述隔片为圆形片状；所述芯片架包括档板、锁紧装置、旋转装置以及固定架；所述挡板位于芯片架的两侧，在挡板外侧连接有锁紧装置，所述锁紧装置可以向内侧挤压挡板，使挡板将装在挡板之间的隔片和芯片夹紧，所述旋转装置套接在锁紧装置外侧，锁紧装置嵌套在所述固定架的侧面内，与侧面连接，锁紧装置和旋转装置从固定架侧面的两边伸出。本发明免除了芯片保护涂层的涂布和去除解决了传统方法的工艺程序复杂，时间长的问题。并且本发明操作简单一次可装载数十片同时进行腐蚀，大大提高了工作效率。

公开(公告)号：CN101748369A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910247045.8

申请日：2009-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  黄建伟 ,  邹冰艳 ,  潘昭海 ,  曹伟宸

IPC: C23C14/30

Abstract: 本发明公开了一种电子束蒸发装置，包括铜坩埚，在所述铜坩埚内设有由耐热材料制成的坩埚衬，该坩埚衬与所述铜坩埚之间留有间隙。优选地，所述坩埚衬是由石墨或氮化硼制成。与现有技术相比，本发明的电子束蒸发装置由于在铜坩埚设置了耐热材料制成的坩埚衬，并且在坩埚衬与铜坩埚之间留有间隙，可极大地降低了坩埚衬与铜坩埚之间的导热率，因此可以有效避免坩埚衬的热量通过铜坩埚传导到磁铁和线圈而对电子束的发射产生不良影响；同时由于热传导损失很小，用较小的电子束功率即可以维持较高的蒸发率，而且坩埚衬内的铝源融化均匀，可以有效避免溅铝事故发生。

公开(公告)号：CN101217108A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810000173.8

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 黄建伟 ,  刘国友 ,  邹冰艳 ,  李世平 ,  潘昭海

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了一种芯片台面腐蚀装置，主要包括隔片和芯片架；所述隔片为圆形片状；所述芯片架包括档板、锁紧装置、旋转装置以及固定架；所述挡板位于芯片架的两侧，在挡板外侧连接有锁紧装置，所述锁紧装置可以向内侧挤压挡板，使挡板将装在挡板之间的隔片和芯片夹紧，所述旋转装置套接在锁紧装置外侧，锁紧装置嵌套在所述固定架的侧面内，与侧面连接，锁紧装置和旋转装置从固定架侧面的两边伸出。本发明免除了芯片保护涂层的涂布和去除解决了传统方法的工艺程序复杂，时间长的问题。并且本发明操作简单一次可装载数十片同时进行腐蚀，大大提高了工作效率。

公开(公告)号：CN101275283A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810000056.1

申请日：2008-01-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 黄建伟 ,  刘国友 ,  邹冰艳 ,  王大江 ,  潘昭海

IPC: C30B31/04 ,  H01L21/228 ,  B05B7/30 ,  B05D1/02

Abstract: 公开了一种用于涂覆扩散源的装置，包括至少一个容器，所述容器中具有液态扩散源，所述装置还至少包括一第一管路和至少一第二管路，所述第一管路的一端伸入所述液态扩散源的液面以下，另一端为细嘴状喷口；所述第二管路的一端通入高速流动的压缩气体，另一端为细状喷嘴；所述喷口与喷嘴的位置紧贴，以使从所述喷嘴高速流出的压缩气体能够在所述喷口处形成负压，将所述容器内的液态扩散源110吸出喷成雾状涂覆于硅片表面。本发明能够在晶片表面形成均匀的扩散源涂层。