公开(公告)号：CN113678265A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080024664.5

申请日：2020-03-16

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 阿部祐介 ,  吉田航 ,  日野将志

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。

公开(公告)号：CN113678265B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202080024664.5

申请日：2020-03-16

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 阿部祐介 ,  吉田航 ,  日野将志

IPC: H01L31/0747

Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比易于大量生产且成品率良好的太阳能电池的制造方法、半成品太阳能电池基板和太阳能电池。该方法包含：在半导体基板(5)的第1主面侧上形成逆导电型半导体层(16)的第1半导体层形成工序，在逆导电型半导体层(16)上形成以氧化硅或氮化硅为主成分的剥离层(50)的剥离层形成工序，以俯视半导体基板(5)时具有与剥离层(50)重叠的部分的方式来形成一导电型半导体层(11)的第2半导体层形成工序，用剥离液溶解剥离层(50)，从而除去一导电型半导体层(11)的重叠的部分的剥离工序；在剥离层形成工序中，以150℃以下的制膜温度下，吹入第1反应气体而制膜剥离层(50)。

公开(公告)号：CN115315819A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180024389.1

申请日：2021-04-05

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 阿部祐介

IPC: H01L31/18 ,  B41M1/12 ,  B41M1/34 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0747 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

Abstract: 提供一种即使使用利用丝网印刷法而形成的掩模来进行图案形成、也能够减少在图案化的半导体层或电极层形成空隙(飞白)的情况的半导体元件。半导体元件在基板上形成有图案化的半导体层(25)或电极层(28)，其中，半导体层(25)或电极层(28)呈长条形状，具有沿长度方向(Y方向)延伸的带状的第一图案(25A或28A)和与长度方向交叉的带状的第二图案(25B或28B)，第二图案(25B或28B)中的90％的部分相对于第一图案(25A或28A)所成的角度中的锐角侧的角度小于90度。