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公开(公告)号：CN111742416B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201980014438.6
申请日：2019-02-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L21/306 , H01L31/0747
Abstract: 一种太阳能电池的制造方法，包含：在晶体基板(11)的一个主面(11S)上形成p型半导体层(13p)的工序、在p型半导体层(13p)上层叠以氧化物为主成分的剥离层(LF)的工序、选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序，在选择性地除去p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的工序中，进行使用2种以上的不同蚀刻液的湿式蚀刻，以使从晶体基板(11)的表面垂直方向的一个主面侧观察，p型半导体层(13p)的蚀刻面积小于或等于剥离层(LF)的蚀刻面积。
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公开(公告)号：CN111727508B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201980013505.2
申请日：2019-02-19
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L21/306 , H01L31/0747
Abstract: 包括以下各个工序：在包括被选择性地除去的p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的晶体基板(11)的一主面上，形成n型半导体层(13n)的工序；通过除去剥离层(LF)，除去覆盖剥离层(LF)的n型半导体层(13n)的工序；以及分别在p型半导体层(13p)和n型半导体层(13n)上，形成透明电极层(17)的工序。在除去剥离层(LF)的工序中，除去剥离层(LF)，且保证在n型半导体层(13n)被除去的状态下，p型半导体层(13p)的一部分被剥离层(LF)覆盖。
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公开(公告)号：CN117981092A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280061642.5
申请日：2022-08-23
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0236 , H01L31/068 , H10K30/50 , H10K30/87 , H10K30/88 , H10K39/15
Abstract: 光电转换效率高的本发明的一个方式的太阳能电池具备半导体基板11，以及层叠于上述半导体基板11的、具有第一导电性的第一半导体层14和具有第二导电性的第二半导体层15；上述半导体基板11的至少第一主面的负载面积率10％时的实体体积Vmp为0.003μm3/μm2～0.010μm3/μm2。
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公开(公告)号：CN109196678B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201780028270.5
申请日：2017-05-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L51/48
Abstract: 层叠型光电转换装置(100)在晶体硅系光电转换单元(4)上具有中间透明导电层(3)和薄膜光电转换单元(2)，所述晶体硅系光电转换单元(4)具备晶体硅基板(42)且在受光面设置有纹理。优选在晶体硅光电转换单元的受光面设置平均凹凸高度为0.5μm以上的纹理。中间透明导电层以埋设于晶体硅系光电转换单元的受光面的纹理的凹部内且覆盖纹理凸部的顶点的方式设置。
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公开(公告)号：CN107408632A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680017148.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0747
Abstract: 光电转换装置(100)从光入射侧具备第一光电转换单元(1)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元(1)的光吸收层含有通式R1NH3M1X3或HC(NH2)2M1X3表示的钙钛矿型晶体结构的感光性材料。第二光电转换单元(2)的光吸收层的带隙比第一光电转换单元的光吸收层的带隙窄。在第一光电转换单元(1)与第二光电转换单元(2)之间，从光入射侧依次设有反射防止层(3)和透明导电层(4)。反射防止层(3)与透明导电层(4)相接，反射防止层(3)的折射率比透明导电层(4)的折射率低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108140735B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201680056492.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725
Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2‑n1≥0.7以及
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公开(公告)号：CN111566825A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880086006.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747 , H01L21/306 , H01L31/0224
Abstract: 本发明高效地制造背结型太阳能电池。是包含晶体基板(11)的太阳能电池(10)的制造方法，包括第1工序～第5工序，第2工序中，对于p型半导体层(13p)，依次层叠形成第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，第4工序中，对于第3工序中残留的第2提离层(LF2)和没有p型半导体层(13p)的非形成区域，层叠形成n型半导体层(13n)，第5工序中，使用第1蚀刻溶液，除去第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，也除去在第2提离层(LF2)层叠的n型半导体层(13n)。而且，相对于第1蚀刻溶液的、p型半导体层(13p)、第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)的蚀刻速度满足特定的关系式。
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公开(公告)号：CN108140735A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056492.3
申请日：2016-09-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L51/44 , H01L31/0725
CPC classification number: H01L31/0725 , H01G9/2009 , H01L31/028 , H01L51/44 , Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及的多接合型光电转换装置(110)从受光面侧起依次具有第一光电转换单元(1)、中间层(3)和第二光电转换单元(2)。第一光电转换单元含有钙钛矿型晶体结构的感光性材料作为光吸收层(11)，在光吸收层的受光面侧具有第一电荷传输层(12)，在光吸收层的背面侧具有第二电荷传输层(13)。第二电荷传输层与中间层相接。第二光电转换单元包含晶体硅基板作为光吸收层(21)，并且具有与中间层相接的第一导电型半导体层(23a)。第二电荷传输层(13)的折射率n1、第一导电型半导体层(23a)的折射率n2以及中间层3的平均折射率n满足n1＜n＜n2、n2-n1≥0.7以及
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公开(公告)号：CN107078084B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201580050720.1
申请日：2015-09-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L21/677 , H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 提供一种不会对半导体基板(10)等试样造成损伤的试样保持装置。本实施方式的试样保持装置(1)为伯努利卡盘，由主体部(2)和定位部件(3)构成。定位部件(3)为立体的部件，比试样保持面(5)更向下侧突出的有效部分(M)由内向面(A)、朝向外侧(与试样保持面(5)相反的相反侧)的外向面(B)、将内向面(A)和外向面(B)相连且与试样保持面(5)平行地扩展的向下面(C)、将内向面(A)、外向面(B)及向下面(C)相连的侧面(D)围成。定位部件(3)没有带棱角的部分。
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