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公开(公告)号：CN112513348B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201980048251.8
申请日：2019-07-24
IPC: C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
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公开(公告)号：CN112513348A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980048251.8
申请日：2019-07-24
IPC: C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117822118A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311279562.X
申请日：2023-09-28
Applicant: 一般财团法人电力中央研究所 , 未来瞻科技株式会社 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
Abstract: [课题]本发明提供能够抑制贯通刃型位错被转变成棱柱面位错以及棱柱面位错被转变成基底面位错的碳化硅单晶的制造方法、以及碳化硅单晶锭和碳化硅晶片。[解决手段]利用气体法使碳化硅单晶在种基板的表面生长时，以种基板的矢径方向上的温度梯度成为规定温度以下的方式，使碳化硅单晶生长。基底面之中的超过临界分切应力的区域R1‑R3与棱柱面之中的超过临界分切应力的区域S1‑S4发生重叠的区域T1‑T4的面积小于晶体生长面的面积的一半。进而，区域T1‑T4的面积小于基底面之中的不超过临界分切应力的区域R4与区域S1‑S4发生重叠的区域V1‑V4。
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公开(公告)号：CN114351253B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202111193447.1
申请日：2021-10-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。
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公开(公告)号：CN116695252A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310176260.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
Abstract: 一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。
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公开(公告)号：CN118147753A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311632803.4
申请日：2023-12-01
Abstract: 碳化硅单晶(6)的制造方法包括下述工序：在构成反应室的中空形状的加热容器(9)内配置晶种(5)的工序；和将上述反应室加热并且向上述晶种的表面供给包含碳化硅原料气体的供给气体(3a)，从而使碳化硅单晶(6)在上述晶种的表面上生长的工序。在使上述碳化硅单晶生长的工序中，将上述碳化硅原料气体的流量控制为目标流量，并且将成为上述加热容器的内部压力的上述供给气体的总压控制为40kPa以上而使上述碳化硅单晶生长。
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公开(公告)号：CN114351253A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111193447.1
申请日：2021-10-13
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 提供能够得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法及制造装置以及碳化硅单晶锭。得到使贯通位错等缺陷减少的碳化硅单晶。本发明的碳化硅单晶的制造方法为，通过将原料气体供给至配置有籽晶基板的反应容器内，并且将前述反应容器内加热至既定温度，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，其特征在于，具有第1工序和第2工序，在前述第1工序中，将前述反应容器内的温度控制成第1既定温度的状态，使碳化硅单晶在前述籽晶基板的表面成长，由此进行贯通位错的湮灭、或者贯通位错的合成，在前述第2工序中，在前述第1工序后将前述反应容器内的温度维持成第1既定温度的状态，由此使前述贯通位错的末端接近籽晶基板的表面。
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