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发明公开
碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶审中-实审

公开(公告)号：CN118147753A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311632803.4

申请日：2023-12-01

Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社

Inventor： 榊原聪真 , 神田贵裕

IPC: C30B29/36 , C30B25/14 , C30B25/16

Abstract: 碳化硅单晶(6)的制造方法包括下述工序：在构成反应室的中空形状的加热容器(9)内配置晶种(5)的工序；和将上述反应室加热并且向上述晶种的表面供给包含碳化硅原料气体的供给气体(3a)，从而使碳化硅单晶(6)在上述晶种的表面上生长的工序。在使上述碳化硅单晶生长的工序中，将上述碳化硅原料气体的流量控制为目标流量，并且将成为上述加热容器的内部压力的上述供给气体的总压控制为40kPa以上而使上述碳化硅单晶生长。

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