公开(公告)号：CN105473990B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201480045954.2

申请日：2014-07-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 井上孝 ,  畑谦佑 ,  加藤哲弥 ,  酒井贤一 ,  宇野真由美 ,  竹谷纯一

IPC: G01L1/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/84

Abstract: 通过使用了肋(2)及有机半导体薄膜(5)等的纵型晶体管来构成载荷传感器(100)，基于纵型晶体管中的沟道长、即漏极－源极间的间隔的变化进行载荷测量。由此，能够使得电流Ids相对于被施加的载荷呈现线性的变化。

公开(公告)号：CN111742421B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980014068.6

申请日：2019-02-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 勅使河原明彦 ,  加纳一彦 ,  酒井贤一

IPC: H10N30/853 ,  C23C14/06 ,  C30B29/38 ,  H10N30/079 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明提供一种压电膜(1)，其含有AlN晶体和添加至AlN晶体中的第1元素及第2元素。第1元素为离子半径大于Al的元素。第2元素为离子半径小于Al的元素。另外，一种压电膜层叠体及其制造方法，所述压电膜层叠体可具有基底层和由ScAlN形成的压电膜。基底层具有6次对称或3次对称的结晶晶格。另外，一种压电膜及其制造方法，所述压电膜由具有六方晶与立方晶的层叠型的晶体结构的ScAlN形成。在立方晶中添加了3价以外的元素。

公开(公告)号：CN111742421A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014068.6

申请日：2019-02-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 勅使河原明彦 ,  加纳一彦 ,  酒井贤一

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/06 ,  C30B29/38 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明提供一种压电膜(1)，其含有AlN晶体和添加至AlN晶体中的第1元素及第2元素。第1元素为离子半径大于Al的元素。第2元素为离子半径小于Al的元素。另外，一种压电膜层叠体及其制造方法，所述压电膜层叠体可具有基底层和由ScAlN形成的压电膜。基底层具有6次对称或3次对称的结晶晶格。另外，一种压电膜及其制造方法，所述压电膜由具有六方晶与立方晶的层叠型的晶体结构的ScAlN形成。在立方晶中添加了3价以外的元素。

公开(公告)号：CN105473990A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045954.2

申请日：2014-07-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 井上孝 ,  畑谦佑 ,  加藤哲弥 ,  酒井贤一 ,  宇野真由美 ,  竹谷纯一

IPC: G01L1/18 ,  H01L29/786 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L1/2293 ,  G01L1/18 ,  H01L29/22 ,  H01L29/84 ,  H01L51/057

Abstract: 通过使用了肋(2)及有机半导体薄膜(5)等的纵型晶体管来构成载荷传感器(100)，基于纵型晶体管中的沟道长、即漏极－源极间的间隔的变化进行载荷测量。由此，能够使得电流Ids相对于被施加的载荷呈现线性的变化。