公开(公告)号：CN114342087A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062127.X

申请日：2020-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  利田祐麻 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤 ,  细川博司 ,  永井昂哉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: IGBT区域(11)为具有第1区域(11a)以及与第1区域(11a)不同的第2区域(11b)的结构。并且，在FWD区域(12)及IGBT区域(11)的第1区域(11a)中形成有当在第1电极(41)与第2电极(45)之间施加了使FWD元件进行二极管动作的正偏压时、与第2区域(11b)相比更容易抽取从第2电极(45)注入的载流子的载流子抽取部(38、39)。

公开(公告)号：CN108074810B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201711123594.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  西胁刚 ,  今井敦志 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。