公开(公告)号：CN117410203A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310836231.5

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  森博隆 ,  里村隆幸 ,  高木茂行

IPC: H01L21/67

Abstract: 半导体晶圆的制造装置具备将由筒部(41)及盖部(C)包围的空间设为中空室(41a)而设置于中空室(41a)中的加热装置(60)、将惰性气体导入中空室(41a)的惰性气体用供给管(90)和排出惰性气体的惰性气体用排气管(100)。而且，当将盖部(C)的质量除以盖部(C)的暴露于中空室(41a)的部分的面积(S2、S3、S5)而得的值设为盖部(C)的压力，且将盖部(C)的压力中的最小的部分设为最小封闭部压力时，中空室(41a)调整从惰性气体用排气管(100)排出的惰性气体的量，以使压力高于反应室(20a)的压力且处于最小封闭部压力以下。

公开(公告)号：CN117403320A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310836230.0

申请日：2023-07-10

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 藤林裕明 ,  森博隆 ,  里村隆幸 ,  高木茂行

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体晶圆的制造装置中，基座(50)被设为具有一面(50a)及另一面(50b)的板状，以一面(50a)侧位于反应室(20a)侧并且另一面(50b)侧位于中空室(41a)侧的方式配置于筒部(41)，在一面(50a)侧形成有收容基础晶圆(10)的凹部(51)，凹部(51)被设为在侧面(51b)和基础晶圆(10)之间形成间隙(S1)的大小，在底部(51a)形成有贯通该底部(51a)的贯通孔(54a、54b)，中空室(41)调整从惰性气体用排气管排出的惰性气体的量，以使压力为反应室的压力以上且为规定的压力以下。

公开(公告)号：CN114941134A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210131974.8

申请日：2022-02-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤林裕明 ,  小出雄也 ,  森博隆

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/02

Abstract: 一种用于制造半导体器件的设备。该设备包括成膜装置(53)、第一检测器(55)和第二检测器(56)。成膜装置形成用于埋封布置在半导体装置中的衬底(100)处的沟槽的埋封层。第一检测器检测衬底的设置有沟槽的第一区域(102)的状态。第二检测器检测衬底的第二区域(103)的状态，第二区域布置在第一区域的外部。成膜装置基于与第一区域的状态对应的第一检测结果和与第二区域的状态对应的第二检测结果之间的差小于或等于阈值的条件，结束埋封层的成膜。