公开(公告)号：CN110249431B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201880009680.X

申请日：2018-01-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  高桥茂树 ,  住友正清 ,  志贺智英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置，具有元件部(1)和将元件部(1)包围的外周部(2)，在外周部(2)形成有深度比基极层(12)深的深层(23)，设深层(23)中的最靠元件部(1)侧的位置为边界位置(K)，设边界位置(K)与能够注入第1载流子的发射极区域(16)中的最靠外周部(2)侧的位置之间的距离为第1距离(L1)，设边界位置(K)与集电极层(21)中的半导体基板(10)的面方向上的端部的位置之间的距离为第2距离(L2)，将第1距离(L1)及第2距离(L2)进行调整，以使得基于因深层(23)而降低了的外周部(2)的耐压而该外周部(2)的载流子密度降低。

公开(公告)号：CN114342087A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062127.X

申请日：2020-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  利田祐麻 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤 ,  细川博司 ,  永井昂哉

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: IGBT区域(11)为具有第1区域(11a)以及与第1区域(11a)不同的第2区域(11b)的结构。并且，在FWD区域(12)及IGBT区域(11)的第1区域(11a)中形成有当在第1电极(41)与第2电极(45)之间施加了使FWD元件进行二极管动作的正偏压时、与第2区域(11b)相比更容易抽取从第2电极(45)注入的载流子的载流子抽取部(38、39)。

公开(公告)号：CN112689902A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201980059059.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。

公开(公告)号：CN119725249A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411173572.X

申请日：2024-08-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 福谷启太 ,  宫田征典

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/488 ,  H01L23/58 ,  H02P27/06

Abstract: 提供半导体装置及功率控制单元。半导体装置具备：半导体基板(41)，具备有源区域(411)及形成有耐压构造(413)的外周区域(412)；以及温度传感器(91)，在外周区域检测半导体基板的温度。半导体装置与控制装置电连接，该控制装置基于由温度传感器检测的温度，检测冷却系统(140)是否有异常。半导体装置还在半导体基板有源区域上具备导电间隔件(70)。温度传感器在板厚方向上与导电间隔件不重叠，并且在正交方向上比耐压构造靠半导体基板的中心侧而配置。

公开(公告)号：CN115485857A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180030791.0

申请日：2021-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  妹尾贤 ,  药师川裕贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 具备半导体衬底(10)，该半导体衬底(10)具有IGBT区域(1a)和FWD区域(1b)，包括第1导电型的漂移层(11)、形成在漂移层(11)上的第2导电型的基极层(12)、在IGBT区域(1a)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第2导电型的集电极层(21)、以及在FWD区域(1b)中形成在漂移层(11)中的与基极层(12)侧相反的一侧的第1导电型的阴极层(22)。并且，将集电极层(21)做成具有将阴极层(22)中的漂移层(11)侧的仅一部分区域覆盖的延伸设置部(21a)的结构。

公开(公告)号：CN110249431A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201880009680.X

申请日：2018-01-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  高桥茂树 ,  住友正清 ,  志贺智英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置，具有元件部(1)和将元件部(1)包围的外周部(2)，在外周部(2)形成有深度比基极层(12)深的深层(23)，设深层(23)中的最靠元件部(1)侧的位置为边界位置(K)，设边界位置(K)与能够注入第1载流子的发射极区域(16)中的最靠外周部(2)侧的位置之间的距离为第1距离(L1)，设边界位置(K)与集电极层(21)中的半导体基板(10)的面方向上的端部的位置之间的距离为第2距离(L2)，将第1距离(L1)及第2距离(L2)进行调整，以使得基于因深层(23)而降低了的外周部(2)的耐压而该外周部(2)的载流子密度降低。

公开(公告)号：CN112689902B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980059059.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫田征典 ,  米田秀司 ,  药师川裕贵 ,  妹尾贤

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移层(11)；基体层(12)，形成在漂移层(11)上；集电极层(21)，形成在漂移层(11)中的基体层(12)侧的相反侧；以及场阻挡层(20)，形成在集电极层(21)与漂移层(11)之间，与漂移层(11)相比为高载流子浓度；在将场阻挡层(20)中的载流子浓度的最大峰值与集电极层(21)中的载流子浓度的最大峰值之间的距离设为X[μm]、将构成集电极层(21)的剂量相对于构成场阻挡层(20)的剂量的比即杂质总量比设为Y的情况下，以满足Y≧0.69X2+0.08X+0.86的方式构成场阻挡层(20)及集电极层(21)。