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公开(公告)号：CN1510969A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03136877.8
申请日：2003-05-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H05B33/10
CPC classification number: G09G3/006
Abstract: 在具备形成在阳极与阴极之间裹夹有机膜而成的有机EL元件的工序、在有机EL元件中进行在阳极与阴极之间施加电压的老化处理，使缺陷部开路破坏的老化工序的有机EL元件的制造方法中，通过测定在有机EL元件中施加了反偏置电压时流动的电流，求出了缺陷部的破坏电压及有机EL元件的破坏电压后，将这两个破坏电压之间的电压范围作为老化处理中的施加电压的范围，进行老化工序。由此，提供了一种可不对元件的正常部造成损伤，而使膜缺陷部预先适当地开路破坏的有机EL元件的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105473990A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201480045954.2
申请日：2014-07-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L1/18 , H01L29/786 , H01L29/84
CPC classification number: G01L1/2293 , G01L1/18 , H01L29/22 , H01L29/84 , H01L51/057
Abstract: 通过使用了肋(2)及有机半导体薄膜(5)等的纵型晶体管来构成载荷传感器(100)，基于纵型晶体管中的沟道长、即漏极－源极间的间隔的变化进行载荷测量。由此，能够使得电流Ids相对于被施加的载荷呈现线性的变化。
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公开(公告)号：CN111796291B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010253611.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01S15/931 , G01S7/521 , B81B3/00
Abstract: 超声传感器(1)包括：元件存储壳体(4)，其包括至少一个壳体侧膜片(43a)，该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板；和至少一个超声元件(50)，其容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开。超声元件包括元件侧膜片(54)，该元件侧膜片(54)是具有沿方向轴的厚度方向的振动膜，并且由厚度方向沿着方向轴的半导体基板(51)的薄部提供。半导体基板设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。
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公开(公告)号：CN100440578C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03136877.8
申请日：2003-05-21
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具备形成在阳极与阴极之间裹夹有机膜而成的有机EL元件的工序、在有机EL元件中进行在阳极与阴极之间施加电压的老化处理，使缺陷部开路破坏的老化工序的有机EL元件的制造方法中，通过测定在有机EL元件中施加了反偏置电压时流动的电流，求出了缺陷部的破坏电压及有机EL元件的破坏电压后，将这两个破坏电压之间的电压范围作为老化处理中的施加电压的范围，进行老化工序。由此，提供了一种可不对元件的正常部造成损伤，而使膜缺陷部预先适当地开路破坏的有机EL元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN111796291A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010253611.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01S15/931 , G01S7/521 , B81B3/00
Abstract: 超声传感器(1)包括：元件存储壳体(4)，其包括至少一个壳体侧膜片(43a)，该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板；和至少一个超声元件(50)，其容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开。超声元件包括元件侧膜片(54)，该元件侧膜片(54)是具有沿方向轴的厚度方向的振动膜，并且由厚度方向沿着方向轴的半导体基板(51)的薄部提供。半导体基板设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。
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