公开(公告)号：CN110118595B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201910102523.X

申请日：2019-02-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 石井格 ,  种村友贵 ,  神谷达也

IPC: G01H11/08

Abstract: 超声波传感器包括超声波元件(22)和元件容纳壳体(21)。元件容纳壳体(21)的侧壁部分(211)具有围绕定向中心轴线的管状形状。元件容纳壳体(21)的底壁部分(212)和顶壁部分(213)覆盖侧壁部分在沿着定向中心轴线的方向上的端部。顶壁部分(213)具有膜片部分(214)。底壁部分(212)支撑超声波元件(22)。例如，超声波元件(22)跨越间隙(G)与膜片部分(214)相对，该间隙定义了对应于超声振动的波长的一半的整数倍的间隔。可替代地，膜片部分(214)由声阻抗为50×105Pa·s/m或以上且为5000×105Pa·s/m或以下的材料形成，并且厚度为1mm或更小。

公开(公告)号：CN111796291B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010253611.2

申请日：2020-04-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 神谷达也 ,  石井格 ,  种村友贵 ,  青木敬 ,  加藤哲弥

IPC: G01S15/931 ,  G01S7/521 ,  B81B3/00

Abstract: 超声传感器(1)包括：元件存储壳体(4)，其包括至少一个壳体侧膜片(43a)，该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板；和至少一个超声元件(50)，其容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开。超声元件包括元件侧膜片(54)，该元件侧膜片(54)是具有沿方向轴的厚度方向的振动膜，并且由厚度方向沿着方向轴的半导体基板(51)的薄部提供。半导体基板设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。

公开(公告)号：CN110118595A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910102523.X

申请日：2019-02-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 石井格 ,  种村友贵 ,  神谷达也

IPC: G01H11/08

Abstract: 超声波传感器包括超声波元件(22)和元件容纳壳体(21)。元件容纳壳体(21)的侧壁部分(211)具有围绕定向中心轴线的管状形状。元件容纳壳体(21)的底壁部分(212)和顶壁部分(213)覆盖侧壁部分在沿着定向中心轴线的方向上的端部。顶壁部分(213)具有膜片部分(214)。底壁部分(212)支撑超声波元件(22)。例如，超声波元件(22)跨越间隙(G)与膜片部分(214)相对，该间隙定义了对应于超声振动的波长的一半的整数倍的间隔。可替代地，膜片部分(214)由声阻抗为50×105Pa·s/m或以上且为5000×105Pa·s/m或以下的材料形成，并且厚度为1mm或更小。

公开(公告)号：CN111796291A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010253611.2

申请日：2020-04-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 神谷达也 ,  石井格 ,  种村友贵 ,  青木敬 ,  加藤哲弥

IPC: G01S15/931 ,  G01S7/521 ,  B81B3/00

Abstract: 超声传感器(1)包括：元件存储壳体(4)，其包括至少一个壳体侧膜片(43a)，该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板；和至少一个超声元件(50)，其容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开。超声元件包括元件侧膜片(54)，该元件侧膜片(54)是具有沿方向轴的厚度方向的振动膜，并且由厚度方向沿着方向轴的半导体基板(51)的薄部提供。半导体基板设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。