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公开(公告)号：CN111033774B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880052416.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 压电器件具备：压电体(10)，至少一部分能够进行弯曲振动；上部电极(22)，配置在压电体(10)的上表面上，其中，该上部电极越远离压电体(10)的上表面，晶格的应变越被缓和；下部电极(21)，配置在压电体(10)的下表面上，其中，该下部电极越远离压电体(10)的下表面，晶格的应变越被缓和；以及支承基板(40)，配置在压电体(10)的下方，设置有从支承基板(40)的下表面朝向压电体(10)的下表面上的凹部(141)。
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公开(公告)号：CN111566933A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880081223.1
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25 , H03H3/08 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种能够更可靠地提高生产率的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电性基板(2)，具有支承基板(3)和直接或间接地设置在支承基板(3)上的压电体层(5)，且具有作为压电体层(5)侧的主面的第1主面(2a)和作为支承基板(3)侧的主面的第2主面(2b)；IDT电极(7)，直接或间接地设置在第1主面(2a)上；支承构件(8)，设置在支承基板(3)上；覆盖构件(9)，设置在支承构件(8)上；贯通过孔电极(17)，设置为贯通支承基板(3)，并与IDT电极(7)电连接；第1布线电极(15)，设置在压电性基板(2)的第2主面(2b)上，并与贯通过孔电极(17)电连接；以及保护膜(16)，设置在第2主面(2b)上，使得覆盖第1布线电极(15)的至少一部分。在从第2主面(2b)的法线方向观察时，保护膜(16)设置在比支承构件(8)靠内侧。
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公开(公告)号：CN111492578B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880081634.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在硅支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电体(6)，在压电体(6)上设置有功能电极，在硅支承基板(2)上直接或间接地设置有支承层(3)，在俯视观察的情况下，支承层(3)设置于功能电极的外侧，在由绝缘物构成的支承层(3)上设置有硅盖层(4)，形成有由硅支承基板2、支承层(3)以及硅盖层(4)包围的空间(A)，硅支承基板(2)的电阻比硅盖层(4)的电阻高。
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公开(公告)号：CN111418152B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201880077562.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供压电体层不容易破损，并且滤波器特性不容易恶化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：硅支承基板(2)，具有相互对置的第一、第二主面(2a、2b)；压电性构造体(12)，设置在第一主面(2a)上，并具有压电体层(6)；IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上；支承层(3)，在硅支承基板(2)的第一主面(2a)上设置为包围压电体层(6)；覆盖层(4)，设置在支承层(3)上；通孔电极(11)，设置为贯通硅支承基板(2)和压电性构造体(12)；第一布线电极(8)，连接于通孔电极(11)，并电连接于IDT电极(7)。压电性构造体(12)具有包括压电体层(6)的至少1层具有绝缘性的层。第一布线电极(8)设置在压电性构造体(12)中的具有绝缘性的层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111566933B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201880081223.1
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25 , H03H3/08 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种能够更可靠地提高生产率的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：压电性基板(2)，具有支承基板(3)和直接或间接地设置在支承基板(3)上的压电体层(5)，且具有作为压电体层(5)侧的主面的第1主面(2a)和作为支承基板(3)侧的主面的第2主面(2b)；IDT电极(7)，直接或间接地设置在第1主面(2a)上；支承构件(8)，设置在支承基板(3)上；覆盖构件(9)，设置在支承构件(8)上；贯通过孔电极(17)，设置为贯通支承基板(3)，并与IDT电极(7)电连接；第1布线电极(15)，设置在压电性基板(2)的第2主面(2b)上，并与贯通过孔电极(17)电连接；以及保护膜(16)，设置在第2主面(2b)上，使得覆盖第1布线电极(15)的至少一部分。在从第2主面(2b)的法线方向观察时，保护膜(16)设置在比支承构件(8)靠内侧。
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公开(公告)号：CN111033774A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052416.4
申请日：2018-11-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/047 , H01L41/053 , H01L41/09 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/17
Abstract: 压电器件具备：压电体(10)，至少一部分能够进行弯曲振动；上部电极(22)，配置在压电体(10)的上表面上，其中，该上部电极越远离压电体(10)的上表面，晶格的应变越被缓和；下部电极(21)，配置在压电体(10)的下表面上，其中，该下部电极越远离压电体(10)的下表面，晶格的应变越被缓和；以及支承基板(40)，配置在压电体(10)的下方，设置有从支承基板(40)的下表面朝向压电体(10)的下表面上的凹部(141)。
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公开(公告)号：CN111492578A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880081634.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种难以产生因带电引起的静电破坏的弹性波装置。在弹性波装置(1)中，在硅支承基板(2)上直接或间接地层叠有压电体(6)，在压电体(6)上设置有功能电极，在硅支承基板(2)上直接或间接地设置有支承层(3)，在俯视观察的情况下，支承层(3)设置于功能电极的外侧，在由绝缘物构成的支承层(3)上设置有硅盖层(4)，形成有由硅支承基板2、支承层(3)以及硅盖层(4)包围的空间(A)，硅支承基板(2)的电阻比硅盖层(4)的电阻高。
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公开(公告)号：CN111418152A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077562.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供压电体层不容易破损，并且滤波器特性不容易恶化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：硅支承基板(2)，具有相互对置的第一、第二主面(2a、2b)；压电性构造体(12)，设置在第一主面(2a)上，并具有压电体层(6)；IDT电极(7)，设置在压电体层(6)上；支承层(3)，在硅支承基板(2)的第一主面(2a)上设置为包围压电体层(6)；覆盖层(4)，设置在支承层(3)上；通孔电极(11)，设置为贯通硅支承基板(2)和压电性构造体(12)；第一布线电极(8)，连接于通孔电极(11)，并电连接于IDT电极(7)。压电性构造体(12)具有包括压电体层(6)的至少1层具有绝缘性的层。第一布线电极(8)设置在压电性构造体(12)中的具有绝缘性的层上。
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