公开(公告)号：CN104488085A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201280074588.4

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 桥本贵之 ,  森睦宏 ,  增永昌弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

CPC classification number: H02M1/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H02M1/08 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02M7/5387 ,  H02M2001/0054

Abstract: 电力变换用开关元件(100)在n-型的半导体基板(1)的表面侧依次反复配置第1栅极电极(6)、具有n型发射极区域(3)的p型沟道层(2)、第2栅极电极(13)、p型浮空层(15)。并且，将夹着p型沟道层(2)的2个栅极(6、13)的间隔a构成得小于夹着p型浮空层(15)的2个栅极(13、6)的间隔b，对第1栅极电极(6)、第2栅极电极(13)分别提供在驱动定时有时间差的驱动信号。

公开(公告)号：CN104067394A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201280068033.9

申请日：2012-01-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 桥本贵之 ,  增永昌弘

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/0051 ,  H02M2001/0054

Abstract: 为了抑制半导体装置(10)的导通损耗和恢复损耗，半导体装置(10)设置有作为半导体基板的n型漂移层(11)、在半导体基板的表面设置的作为阳极区域的p型区域(12)以及n型区域(13)、在半导体基板的背面设置的作为阴极区域的高浓度n型区域(15)、以及阳极电极(1)。在该半导体基板的表面，具备p型区域(12)与n型区域(13)相邻的结构，p型区域(12)与阳极电极(1)相连接，n型区域(13)经由开关(14)与阳极电极(1)相连接。在该开关(14)的控制端子，连接有控制部(40)。在半导体装置(10)的导通状态下，控制部(40)将高频脉冲输出到开关(14)的控制端子，使开关(14)接通/断开。