公开(公告)号：CN109560140A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811483289.1

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN101997005B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010248853.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  细羽幸 ,  西田惠里子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L29/43 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括：衬底上的栅极电极层；栅极电极层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极和漏极电极层；在栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层上的、与氧化物半导体层的一部分接触的保护性绝缘层；以及在保护性绝缘层上的像素电极层。所述像素部分具有光透射性质。此外，驱动器电路中的第二TFT的源极和漏极电极层的材料不同于第一TFT的源极和漏极电极层的材料。

公开(公告)号：CN105590964A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510993428.5

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102687275B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201180005276.3

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN105590964B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510993428.5

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102687275A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005276.3

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN101997005A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248853.9

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  细羽幸 ,  西田惠里子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L29/43 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括：衬底上的栅极电极层；栅极电极层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极和漏极电极层；在栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层上的、与氧化物半导体层的一部分接触的保护性绝缘层；以及在保护性绝缘层上的像素电极层。所述像素部分具有光透射性质。此外，驱动器电路中的第二TFT的源极和漏极电极层的材料不同于第一TFT的源极和漏极电极层的材料。