公开(公告)号：CN110678989B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201880016444.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第(56)对比文件张新安;张景文;张伟风;侯洵.氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展.现代显示.2009,(第04期),全文及附图.

公开(公告)号：CN118102714A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410057392.9

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。

公开(公告)号：CN110678989A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880016444.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹内敏彦 ,  山出直人 ,  藤木宽士 ,  森若智昭 ,  木村俊介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：第一导电体；第一导电体上的第二导电体；覆盖第二导电体的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；以及第一氧化物上的第二氧化物，其中，在第一氧化物及第一绝缘体中设置有至少与第一导电体的一部分重叠的开口，并且，第二氧化物通过开口与第一导电体电连接。