公开(公告)号：CN119325749A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202380043434.7

申请日：2023-05-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 屉川慎也 ,  方堂凉太 ,  菅谷健太郎

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10D30/01 ,  H10D84/01 ,  H10D84/03 ,  H10D84/00 ,  H10D84/83 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D64/66 ,  H10D30/47 ,  H10D30/68 ,  H10B12/00 ,  H10B41/20

Abstract: 半导体装置(200)包括：衬底上的氧化物(230)；氧化物上的彼此隔开的第一导电体(242a1)及第二导电体(242b1)；与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体(242a2)；与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体(242b2)；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第三导电体与第四导电体之间的区域的开口的第一绝缘体(271a、271b)；配置在第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面的另一部分、第二导电体的顶面的另一部分、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体(255)；配置在第一绝缘体的开口内且与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体(250)；以及在第一绝缘体的开口内配置在第三绝缘体上且具有隔着第三绝缘体与氧化物重叠的区域的第五导电体，其中，第一导电体与第二导电体之间的距离(L2)小于第三导电体与第四导电体之间的距离(L1)。