公开(公告)号：CN101681885A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880021052.X

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78621

Abstract: 抑制了具有浮置栅极的存储器元件的可靠性的降低。本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件具有：岛状半导体膜，该岛状半导体膜在绝缘表面上形成，且包括沟道形成区和高浓度杂质区；在岛状半导体膜上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的浮置栅极；在浮置栅极上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的控制栅极；以及在隧穿绝缘膜与浮置栅极之间形成的第一绝缘膜。第一绝缘膜由浮置栅极的材料的氧化膜形成，因此防止浮置栅极的材料扩散到隧穿绝缘膜中。

公开(公告)号：CN106981489A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710365782.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN102760488A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210132046.X

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: G11C11/4193 ,  G11C16/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN106981489B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201710365782.2

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN102760488B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201210132046.X

申请日：2012-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪 ,  磯部敦生 ,  盐野入丰 ,  热海知昭

IPC: G11C11/4193 ,  G11C16/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/40 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。

公开(公告)号：CN101681885B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880021052.X

申请日：2008-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 家田义纪

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78621

Abstract: 抑制了具有浮置栅极的存储器元件的可靠性的降低。本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件具有：岛状半导体膜，该岛状半导体膜在绝缘表面上形成，且包括沟道形成区和高浓度杂质区；在岛状半导体膜上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的浮置栅极；在浮置栅极上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的控制栅极；以及在隧穿绝缘膜与浮置栅极之间形成的第一绝缘膜。第一绝缘膜由浮置栅极的材料的氧化膜形成，因此防止浮置栅极的材料扩散到隧穿绝缘膜中。