半导体切换系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102368685B

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201110175092.3

    申请日:2011-06-22

    CPC classification number: H03K17/063 H01L2224/49111 H03K17/0814 H03K17/74

    Abstract: 根据一个实施例,一种半导体开关包括第一元件,所述第一元件包括切换元件和反并联二极管。所述切换元件具有击穿电压并且耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有比所述第一元件的击穿电压低的击穿电压的第二元件。所述第二元件耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有基本上与所述第一元件的击穿电压类似的击穿电压的反激式二极管。所述第一元件的负电极连接到所述第二元件的负电极并且所述反激式二极管并联连接在所述第一元件的正端子和所述第二元件的正端子之间。用于所述第一元件的所述控制端子以及用于所述第二元件的所述控制端子彼此独立地耦合到一个或者多个控制电路。

    可变磁通电动机驱动器系统

    公开(公告)号:CN101490946B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200780027658.X

    申请日:2007-07-24

    Abstract: 本发明提供一种可变磁通电动机驱动器系统,其特征在于,具备:使用了永久磁铁的永久磁铁电动机(4);逆变器(1),驱动永久磁铁电动机;以及磁化单元,流过用于对永久磁铁的磁通进行控制的磁化电流,永久磁铁是其磁通密度根据来自逆变器(1)的磁化电流而可变的可变磁铁,磁化单元流过可变磁铁的磁性体的磁化饱和区域以上的磁化电流,改善可变磁铁(53)的磁通的反复精度,提高扭矩精度。

    半导体开关及电力变换装置

    公开(公告)号:CN105024546B

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201510397305.5

    申请日:2012-11-29

    Abstract: 本发明提供半导体开关及电力变换装置。提供防止主元件的输出静电电容的增大、抑制由结电容充电电流而引起的打开损耗的半导体开关。所提供的半导体开关具备:主元件,具有逆导性能,是高耐压的电压驱动型开关元件;防逆流元件,耐压比主元件低;高速续流二极管,连接主元件的负极和防逆流元件的负极而将主元件的正极作为正极端子,将防逆流元件的正极作为负极端子,在正极端子和负极端子之间以从负极端子向正极端子的方向为正向的方式进行连接,具有与主元件相同的耐压;及预备电压施加电路,朝着在主元件的正极上施加正电压的方向进行连接,发生至少比主元件的耐压低的电压脉冲,而且与主元件或防逆流元件截止的时期大致同步地输出电压脉冲。

    逆变器装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102474198B

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201080036867.2

    申请日:2010-10-27

    CPC classification number: H02M7/48 B60L3/003 H02M2001/327

    Abstract: 逆变器装置(2),具备:直流电源(4);连接到所述直流电源(4)的开关元件(S)和续流二极管(D);通过开关元件(S)的接通/关断,将直流电压变换成规定的交流电压、电流和频率的部件;以及设置在1个以上的开关元件附近的温度检测部(C),该逆变器装置(2)具备推定部件(17),该推定部件(17)基于开关元件(S)和续流二极管(D)的损耗模型(公式(1)~(5))、固定所述开关元件(S)和续流二极管(D)的模块的热电阻模型(公式(6)~(9))、利用所述损耗模型和热电阻模型计算出的推定温度上升值、以及在所述温度检测部(C)中检测到的开关元件的温度,来推定不具有温度检测部的开关元件和续流二极管的温度。不依赖逆变器的运行模式,而基于从1个开关元件检测到的温度来推定其他开关元件温度。

    半导体切换系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102368685A

    公开(公告)日:2012-03-07

    申请号:CN201110175092.3

    申请日:2011-06-22

    CPC classification number: H03K17/063 H01L2224/49111 H03K17/0814 H03K17/74

    Abstract: 根据一个实施例,一种半导体开关包括第一元件,所述第一元件包括切换元件和反并联二极管。所述切换元件具有击穿电压并且耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有比所述第一元件的击穿电压低的击穿电压的第二元件。所述第二元件耦合到控制端子以及第二和第三端子。所述半导体开关还包括具有基本上与所述第一元件的击穿电压类似的击穿电压的反激式二极管。所述第一元件的负电极连接到所述第二元件的负电极并且所述反激式二极管并联连接在所述第一元件的正端子和所述第二元件的正端子之间。用于所述第一元件的所述控制端子以及用于所述第二元件的所述控制端子彼此独立地耦合到一个或者多个控制电路。

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