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公开(公告)号：CN105023584A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410449901.9
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及高频振荡器件、磁记录头及盘装置。本发明的实施方式提供一种改善了与记录介质的共振特性的相符性、能够进行高密度记录的磁记录头及具有该磁记录头的盘装置。根据实施方式，磁记录头包括：向记录介质的记录层施加记录磁场的主磁极(60)；隔着写入间隙与主磁极相对的写屏蔽件；使主磁极产生磁场的记录线圈(70)；具有振荡层及自旋转矩注入层，在主磁极与写屏蔽件之间配置于写入间隙内的高频振子(74)；用于向高频振子通电的布线；对振荡层施加调制电压的调制电极(76)；和夹在振荡层与调制电极之间的调制绝缘层。
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公开(公告)号：CN100405462C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510124691.7
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , H01F10/3259 , H01L27/224 , H01L27/228
Abstract: 磁阻元件包括磁化方向基本固定在一个方向上的磁化固着层、磁化方向取决于外场变化的磁化自由层、以及包括设置在磁化固着层和磁化自由层之间的绝缘层和穿透该绝缘层的电流通路的分隔层，位于分隔层下面的磁化固着层或磁化自由层包括由横跨其厚度延伸的晶界分离的晶粒，其中，假设每个晶粒的一端的平面内位置被设定为0，并且与该晶粒的另一端相邻的晶界的平面内位置被设定为100，则对应于该晶粒的电流通路在平面内位置为大于等于20小于等于80之间的范围内的区域上形成。
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公开(公告)号：CN101071573A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710107436.0
申请日：2007-05-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录头，包括产生记录磁场的主磁极(31)、为所述记录磁场形成闭合磁回路的返回极(32)和与所述主磁极(31)在跨磁道方向上磁性地间隔开的侧护罩(41)，其中，在与所述主磁极(31)最近的所述侧护罩(41)后沿上的点位于所述主磁极(31)的后沿的前侧。
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公开(公告)号：CN106067306A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510450671.2
申请日：2015-07-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/127 , G11B5/1278 , G11B5/235 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
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公开(公告)号：CN105023586A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410448664.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 鸿井克彦
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/001 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明的实施方式提供一种磁记录头及磁记录装置，其降低驱动电流且提高了自旋转矩振荡器的长期可靠性。实施方式的磁记录头具备：主磁极，其具有主磁极顶端部，并将记录磁场施加于磁记录介质；振荡层，其配置在主磁极的后侧；第1自旋注入层，其配置在主磁极的前侧；以及中间层，其将振荡层与第1自旋注入层电连接。
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公开(公告)号：CN101373599A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810131940.9
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 鸿井克彦
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3929
Abstract: 本发明涉及一种磁阻元件、磁阻磁头以及磁盘装置。根据一个实施例，磁阻元件包括磁化固定层(25)、设置在磁化固定层上的中间层(26)、设置在中间层上的自由层(27)、由非磁性金属构成且设置在自由层上的分离层(28)、以及波动补偿层(29)构成，其中该波动补偿层(29)的与自由层的静态磁耦合被分离层断开、其磁化方向被固定为与磁化固定层的磁化方向反平行，并且其设置在分离层上。
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公开(公告)号：CN106710607A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610064514.2
申请日：2016-01-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 鸿井克彦
CPC classification number: G11B5/09 , G11B5/012 , G11B5/235 , G11B5/314 , G11B5/3146 , G11B5/3912 , G11B5/6088 , G11B15/02 , G11B19/02 , G11B20/18 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024 , G11B5/3109 , G11B5/4806 , G11B5/82
Abstract: 本发明的实施方式提供能够实现高频振荡器的振荡效率的提高的盘装置和记录头的驱动方法。实施方式的盘装置具有：盘(12)，其具有记录层；记录头，其具有向记录层施加记录磁场的主磁极以及与所述主磁极相邻地设置并向所述记录层施加高频磁场的高频振荡器；电流供给电路(82)，其对高频振荡器进行通电；以及切换电路(83)，其切换对高频振荡器的通电方向。
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公开(公告)号：CN105321530A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410586497.X
申请日：2014-10-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/35 , G11B5/1278 , G11B5/23 , G11B5/235 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B5/3912 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明提供高频的振荡效率提高、能够进行稳定的高频辅助记录的高频辅助记录头以及具备该高频辅助记录头的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置的高频辅助记录头具备：主磁极(66)，其施加记录磁场；写屏蔽磁极(68)，其隔着写间隙而与主磁极相对；自旋转矩振荡元件(74)，其在主磁极与写屏蔽磁极之间设置在介质相对面的附近，产生高频磁场；反强磁性层(80)，其与写屏蔽磁极接触地设置在自旋转矩振荡元件与写屏蔽磁极之间；和非磁性金属层(82)，其设置在自旋转矩振荡元件与反强磁性层之间。
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公开(公告)号：CN104424958A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310661321.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/235 , G11B5/3106 , G11B5/3136 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明可获得即使在操作中的温度高的环境下，也可以使高频振荡元件的温度保持低且振荡无劣化的高频辅助磁记录头。实施例的磁记录头在振荡层叠体和主磁极间设置冷却发热材料，冷却发热材料包含从该振荡层叠体按顺序层叠的：具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1热电材料层；具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1金属材料层；具有与主磁极相同截面积的第2金属材料层；及具有与主磁极相同截面积的第2热电材料层。
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