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公开(公告)号：CN101622608B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN200880006535.2
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0647 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211
Abstract: 一种存储器系统，包括：非易失性存储器，其包括作为数据擦除单元的多个块；测量单元，其测量每个块的数据被擦除的擦除时间；以及块控制器，其将至少从外部提供的数据写入被设置为空闲状态且擦除时间最老的第一个块。
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公开(公告)号：CN104657280A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510043409.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0647 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211
Abstract: 本公开提供了一种存储器系统，包括：非易失性存储器，包括作为数据擦除单元的多个块；测量单元，其测量每个块的数据被擦除的擦除时间；块控制器，其具有块表，该块表指示对于每个块的状态值与擦除时间之间的对应关系，其中状态值指示空闲状态和使用中状态中的一个；第一选择器，其基于块表的信息，在从擦除时间最老的块开始的被设置为使用中状态的预设数量的块中选择擦除计数最小的第一个块；第二选择器，其基于块表的信息，在从擦除时间最老的块开始的被设置为空闲状态的预设数量的块中，选择擦除计数最大的第二个块；以及均化单元，其计算第一个块与第二个块的擦除计数之间的差，并在差超过阈值时将第一个块的数据移动到第二个块中。
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公开(公告)号：CN101652762A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880006649.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/349 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/16 , G11C29/76
Abstract: 一种存储器系统包括：非易失性存储器，包含多个块作为数据擦除单位；测量单元，用来测量每个块中的数据被擦除时的擦除时间；块控制器，它具有块表，该表将每个块的指示自由状态和使用状态之一的状态值与其所述擦除时间联系起来；探测器，用来探测在短时间内共同地进行了重写的块；第一选择器，基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的自由块作为第一块；第二选择器，基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的使用中的块作为第二块；以及均衡单元，用来在所述第一块包含在由所述探测器所探测到的块中时将所述第二块中的数据移动到所述第一块中。
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公开(公告)号：CN103151073A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310053280.8
申请日：2009-09-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置和存储控制方法。一种半导体存储装置包括：第一存储单元，其具有作为数据写入区域的多个第一块；指令单元，其发出将数据写入所述第一块中的写入指令；转换单元，其参考转换表将输入数据的外部地址转换成在所述第一块中的存储位置，在所述地址转换表中所述数据的外部地址与所述第一块中的所述数据的所述存储位置相关联；以及判断单元，其基于所述输入数据的所述存储位置而判断所述第一块中的任何块是否存储有效数据，其中当所述第一块中的任何块没有存储所述有效数据时，所述指令单元发出将数据写入其中没有存储所述有效数据的所述第一块中的写入指令。
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公开(公告)号：CN101763894A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910169039.5
申请日：2009-09-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置和存储控制方法。一种半导体存储装置包括：第一存储单元，其具有作为数据写入区域的多个第一块；指令单元，其发出将数据写入所述第一块中的写入指令；转换单元，其参考转换表将输入数据的外部地址转换成在所述第一块中的存储位置，在所述地址转换表中所述数据的外部地址与所述第一块中的所述数据的所述存储位置相关联；以及判断单元，其基于所述输入数据的所述存储位置而判断所述第一块中的任何块是否存储有效数据，其中当所述第一块中的任何块没有存储所述有效数据时，所述指令单元发出将数据写入其中没有存储所述有效数据的所述第一块中的写入指令。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622608A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006535.2
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0647 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7202 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211
Abstract: 一种存储器系统，包括：非易失性存储器，其包括作为数据擦除单元的多个块；测量单元，其测量每个块的数据被擦除的擦除时间；以及块控制器，其将至少从外部提供的数据写入被设置为空闲状态且擦除时间最老的第一个块。
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公开(公告)号：CN101622607A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006364.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，其包括：非易失性半导体存储器，其按块来存储数据，所述块为数据擦除的单位；以及控制单元，其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计数，并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据。
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公开(公告)号：CN101632068B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN200880008447.6
申请日：2008-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
Abstract: 一种半导体存储装置包括：配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行：第一处理，用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中；第二处理，用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中；以及第三处理，用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
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公开(公告)号：CN101763894B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910169039.5
申请日：2009-09-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置和存储控制方法。一种半导体存储装置包括：第一存储单元，其具有作为数据写入区域的多个第一块；指令单元，其发出将数据写入所述第一块中的写入指令；转换单元，其参考转换表将输入数据的外部地址转换成在所述第一块中的存储位置，在所述地址转换表中所述数据的外部地址与所述第一块中的所述数据的所述存储位置相关联；以及判断单元，其基于所述输入数据的所述存储位置而判断所述第一块中的任何块是否存储有效数据，其中当所述第一块中的任何块没有存储所述有效数据时，所述指令单元发出将数据写入其中没有存储所述有效数据的所述第一块中的写入指令。
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公开(公告)号：CN101622607B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200880006364.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，其包括：非易失性半导体存储器，其按块来存储数据，所述块为数据擦除的单位；以及控制单元，其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计数，并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据。
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