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公开(公告)号:CN1685455A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200380100079.5
申请日:2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227
Abstract: 层叠陶瓷电容器的制造方法,具备:调制以钛酸钡粉末为主要原料粉末的混合物的工序,将所述混合物与粘合剂一起成型形成生片的工序,交替层叠所述生片与内部电极得到层叠体的工序,以及烧结所述层叠体的工序。其中调制所述混合物的工序包括将所述原料粉末与分散剂投入混合槽,与混合媒体的球一起搅拌获得含原料粉末的混合物的浆料的工序和使所述浆料干燥的工序,所述混合媒体具有小于原料钛酸钡粉末平均粒径400倍的粒径。本发明抑制结晶粒子的偏差并提供DC偏置特性优良的层叠陶瓷电容器。
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公开(公告)号:CN1120137C
公开(公告)日:2003-09-03
申请号:CN00800112.X
申请日:2000-02-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/6303 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3263 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , C04B2235/96 , H01B3/12
Abstract: 提供一种电介质陶瓷组合物,它包含:作为主要成分的钛酸钡100摩尔份,其中,Ba/Ti之摩尔比为1.001-1.05;并至少包含以下辅助成分:Mg,换算成MgO,为0.5-5.0摩尔份Dy,换算成Dy2O3,为0.1-3.0摩尔份;Mn,换算成Mn3O4,为0.01-0.4摩尔份V,换算成V2O5,为0.01-0.26摩尔份;Si,换算成SiO2,为0.3-3.5摩尔份;Al,换算成Al2O3,为0.01-3.0摩尔份。使用本发明的电介质陶瓷组合物,即使用铜等金属形成外部电极,也能得到电介质层不会被还原、具有高绝缘电阻的叠层电容器。
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公开(公告)号:CN1314059C
公开(公告)日:2007-05-02
申请号:CN02807481.5
申请日:2002-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/0085 , H01C1/14 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 一种多层陶瓷电子元器件,具有交互地层叠有陶瓷层和内部电极的多层体、在该陶瓷层和内部电极之间的至少一种或以上的金属氧化物。多层陶瓷电子元器件的制造方法,具备交互地层叠陶瓷片和金属膜制作多层体的第1工序、以及继而烧成前述多层体的第2工序,其中金属膜是在片状的第1金属的表面上具有比第1金属更易于氧化的第2金属的金属膜,且其中第2工序是在几乎不使前述第1金属氧化,但使前述第2金属氧化的氧分压下进行的。
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公开(公告)号:CN1685454A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200380100063.4
申请日:2003-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B2311/22 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3263 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6587 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/1227 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128
Abstract: 本发明有关层叠陶瓷电容器的制造方法,包含(a)交替层叠含有钛酸钡构成的陶瓷原料的陶瓷生片与内电极而形成层叠体的工序、(b)烧结所述层叠体而得到烧结体的工序、以及(c)在所述烧结体的端面形成外部电极而得到层叠陶瓷电容器的工序,所述钛酸钡在X射线衍射图中具有由(002)面产生的衍射线与由(200)面产生的衍射线,2θ(200)中的峰值强度I(200)相对于在(002)面产生的衍射线的峰值角度2θ(002)与(200)面产生的衍射线的峰值角度2θ(200)的中间点角度的衍射强度Ib之比:I(200)/Ib为2~10。而且所述钛酸钡的平均粒径r(μm)与比表面积Sa(m2/g)之积r·Sa为1~2。
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公开(公告)号:CN1500281A
公开(公告)日:2004-05-26
申请号:CN02807481.5
申请日:2002-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01G4/0085 , H01C1/14 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 一种多层陶瓷电子元器件,具有交互地层叠有陶瓷层和内部电极的多层体、在该陶瓷层和内部电极之间的至少一种或以上的金属氧化物。多层陶瓷电子元器件的制造方法,具备交互地层叠陶瓷片和金属膜制作多层体的第1工序、以及继而烧成前述多层体的第2工序,其中金属膜是在片状的第1金属的表面上具有比第1金属更易于氧化的第2金属的金属膜,且其中第2工序是在几乎不使前述第1金属氧化,但使前述第2金属氧化的氧分压下进行的。
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公开(公告)号:CN1488155A
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN02803022.2
申请日:2002-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/052
Abstract: 一种固体电解电容器,对由钽等构成且开气孔率超过75%的烧结金属(11)进行表面氧化而设置五氧化二钽等的氧化膜(12),并将导电性物质(13)充填于气孔中,然后将其缠绕于导线上加工成所期望的形状,并于该多孔体的表面设置银层,然后将烧结金属(11)当作阳极,将银层当作阴极。由于该电容器烧结金属的比表面积大,所以成为大容量。
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公开(公告)号:CN1322367A
公开(公告)日:2001-11-14
申请号:CN00802024.8
申请日:2000-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01L21/4857 , H01G4/206 , H01G4/30 , H01L21/481 , H05K1/0306 , H05K3/0011 , H05K3/1283 , H05K3/4629 , H05K2203/0143 , H05K2203/0278
Abstract: 本发明的陶瓷电子零件的制造方法包括对含有陶瓷粉末及有机物的陶瓷板(10a)加压以减少其空隙率的第1工序:接着使用金属糊在此陶瓷板(10b)上形成导电体层(2)的第2工序:接着将多片的前述形成有导电体层(2)的陶瓷板(10b)进行积层,并使该导电体层(2)夹着该陶瓷板(10b)相向,以获得积层体的第3工序;和将前述积层体进行烧制的第4工序。由预先将空隙率减少方才在陶瓷板(10b)上形成导电体层(2),故可抑制金属成分渗入陶瓷板(10b)。又,以转印法将导电体层形成在陶瓷板上,由此即可抑制导电体层中的金属成分扩散。其结果,可控制陶瓷电子零件发生短路的概率,提高成品率。
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公开(公告)号:CN100351963C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN02803022.2
申请日:2002-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G9/052
Abstract: 一种固体电解电容器,对由钽等构成且开气孔率超过75%的烧结金属(11)进行表面氧化而设置五氧化二钽等的氧化膜(12),并将导电性物质(13)充填于气孔中,然后将其缠绕于导线上加工成所期望的形状,并于该多孔体的表面设置银层,然后将烧结金属(11)当作阳极,将银层当作阴极。由于该电容器烧结金属的比表面积大,所以成为大容量。
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公开(公告)号:CN101027735A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200580032267.8
申请日:2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/4682 , B32B18/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3267 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/761 , C04B2237/704 , H01G4/1227 , Y10T29/435
Abstract: 制备具有在1.009到1.011的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的原料粉末。通过向该原料粉末混合添加物,获得具有在1.005到1.009的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的介电体层。在该介电体层上形成电极从而获得陶瓷电容器。该陶瓷电容器具有大的电容量,并显示小的电容量减少率。
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公开(公告)号:CN1310260C
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN03800211.6
申请日:2003-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/12 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/6281 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3267 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/761 , C04B2235/785 , C04B2237/704
Abstract: 在本发明中,BaTiO3的四方钙钛矿型晶体结构中的c轴/a轴比被设定在1.005到1.009的范围之内。本发明提供了一种具有大容量的陶瓷电容器及其制造方法。
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