公开(公告)号：CN1222026C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN01812387.2

申请日：2001-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  吉田幸一 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司 ,  今西诚 ,  东和司 ,  福本健治 ,  和田浩

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/4921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。

公开(公告)号：CN1838380A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510091651.7

申请日：2001-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  吉田幸一 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司 ,  今西诚 ,  东和司 ,  福本健治 ,  和田浩

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/4921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。

公开(公告)号：CN100383915C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200510091651.7

申请日：2001-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  吉田幸一 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司 ,  今西诚 ,  东和司 ,  福本健治 ,  和田浩

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/4921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。

公开(公告)号：CN1440568A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812387.2

申请日：2001-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 成田正力 ,  吉田幸一 ,  池谷雅彦 ,  前贵晴 ,  金山真司 ,  今西诚 ,  东和司 ,  福本健治 ,  和田浩

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/742 ,  H01L21/67138 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/67248 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/351 ,  Y10T29/4921 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种凸起形成装置和方法，具有预热装置(160)，对于在向上述电极部分(15)的形成凸起(16)前的半导体基板(201)，实行促进在凸起形成时的上述电极部分和上述凸起之间接合的形成前接合促进用温度控制。为此，在凸起形成前，上述电极部分的金属粒子能够变化为适当的状态，在现象上，与以往相比，能够达到电极部分和凸起之间的接合状态的改善。而且，本发明也能够在凸起形成后，通过控制装置(317)的加热控制，由接合台(316)对凸起形成完成半导体元件、以接合强度改善条件进行加热。