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公开(公告)号：CN103650181A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280031639.5
申请日：2012-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/005 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明抑制量子点荧光体的光氧化，发光装置具备：半导体发光元件(101)；以及荧光部件(130)，接受半导体发光元件(101)的光来发出荧光，荧光部件(130)包括包含因粒径而具有不同的激励荧光谱的树脂(111)以及不使氧透过的树脂(110)，树脂(111)的外周面均由树脂(110)覆盖。
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公开(公告)号：CN103650183A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280030969.2
申请日：2012-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B33/04 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/8592 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提出能够在采用了半导体发光元件与荧光体的发光装置中抑制荧光体的劣化的发光装置，发光装置具备：封装(10)；安装在封装(10)上的半导体发光元件(5)；设置在封装(10)上的盖构件(50)；封闭封装(10)与盖构件(50)之间的空间的密封构件(30)；含有配置在被封闭的空间中的荧光体的荧光体含有树脂(40)。
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公开(公告)号：CN1681175A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510059085.1
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激光器(1)和光波导型QPM－SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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公开(公告)号：CN103503178A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021931.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F21K9/56 , G02B3/0056 , G02B3/0062 , G02F2/02 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01S5/005
Abstract: 光学元件(110)具备：荧光体层(113)，其包含被第一波长的光所激励而辐射与第一波长不同的第二波长的光的荧光体；第一光学部件(111)，其形成于荧光体层(113)的第一面之上，且使光在荧光体层(113)进行聚光；和第二光学部件(112)，其形成于荧光体层(113)的第一面或与第一面相同侧或者相反侧的第二面之上，且将从荧光体层(113)所辐射的光变换为平行光。
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公开(公告)号：CN102239609A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201080003068.5
申请日：2010-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01L29/41725 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7787 , H03B2200/0084
Abstract: 一种太赫兹波辐射元件，具备：第一氮化物半导体层，其形成在基板上；第二氮化物半导体层，其形成在第一氮化物半导体层上，且与第一氮化物半导体层相比带隙较大；和源极电极、栅极电极以及漏极电极，其形成在第二氮化物半导体层上。源极电极以及漏极电极各自由周期性地配置的多个源极电极指以及漏极电极指构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100394297C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510059086.6
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/295
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激先器(1)和光波导型QPM-SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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公开(公告)号：CN1696807A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510059086.6
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02F1/295
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激光器(1)和光波导型QPM－SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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公开(公告)号：CN103503178B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201280021931.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: F21K9/56 , G02B3/0056 , G02B3/0062 , G02F2/02 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01S5/005
Abstract: 光学元件(110)具备：荧光体层(113)，其包含被第一波长的光所激励而辐射与第一波长不同的第二波长的光的荧光体；第一光学部件(111)，其形成于荧光体层(113)的第一面之上，且使光在荧光体层(113)进行聚光；和第二光学部件(112)，其形成于荧光体层(113)的第一面或与第一面相同侧或者相反侧的第二面之上，且将从荧光体层(113)所辐射的光变换为平行光。
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公开(公告)号：CN1797774A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101190.2
申请日：2004-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种固体摄像元件、固体摄像器件及其制造方法。具有使低折射率材料(1)和高折射率材料(2)交替层叠的折射率周期构造、以及在面内方向上为同心且相似的形状(圆或者多边形)的折射率周期构造的光子晶体，配置在各光电转换元件上而构成固体摄像元件(11a、11b和11c)。只用本光子晶体就能同时进行RGB的色分离和聚光。另外，本光子晶体，对于具有层叠方向的折射率周期构造的多层膜，能用通过光刻和刻蚀在面内方向上设置同心且相似形状的空洞的方法来制造，或者在面内方向上形成同心且相似形状的基底上，能用通过自己隆起设置面内方向和层叠方向的折射率周期构造的方法来制造。
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公开(公告)号：CN1476657A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02803070.2
申请日：2002-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: G02B6/4201 , G02B6/4207 , G02B6/4257 , G02B6/4262 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02296 , H01S5/06256
Abstract: 一种高精度地控制射出角和发光位置的相干光源，将波长可变的DBR半导体激光器(1)和光波导型QPM－SHG器件(2)安装在Si底座(7)上，并将Si底座(7)固定在管壳(11)内来作为相干光源。管壳(11)的底座固定面上形成了作为固定Si底座(7)时的基准标记的基准线(A)、(B)。
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