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公开(公告)号：CN1117192A
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN94116280.X
申请日：1994-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G11C7/1006
Abstract: 一种半导体存贮装置，包括多个存贮单元、将从该存贮单元读出的数据反相后再写入存贮单元的反相再写入构件，存贮有在再写入时是否将从存贮单元读出的数据作了反相的判定用数据存贮构件，根据来自判定用数据存贮器的输出判定是将从存贮单元读出的数据反相后输出或是不反相便输出的判定构件。利用这些构件能减少加于写入数据“1”的存贮单元电容器的电容绝缘膜上的应力，实现长寿命化。
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公开(公告)号：CN1538459B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200410032961.7
申请日：2004-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/12 , G11C16/04 , G11C16/0416 , G11C2029/4402 , G11C2029/5004
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)、和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。
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公开(公告)号：CN1845254A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074183.7
申请日：2006-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 椋木敏夫
CPC classification number: G11C16/0441
Abstract: 本发明提供半导体存储器件，可靠性高，可以实现低电压动作和高速化，并且生产时的合格率高。这种半导体存储器件，是可以写入及擦除数据，在不供给电压的期间也可以保持该数据的非易失性半导体存储器件，具有多个存储单元，该存储单元包括分别可以积蓄对应于数据的静电荷的多个局部电荷部；局部电荷部之中的任意两个以互补的状态积蓄电荷。
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公开(公告)号：CN100472662C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610074096.1
申请日：2006-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 椋木敏夫
Abstract: 为了在使用可变门限类型的非易失性存储单元作为基准电流/电压产生元件的半导体存储器件中、在短时间内设定基准单元的门限，在存储数据的存储单元区中提供一个在不执行写入/擦除操作的检验过程期间保持其初始状态的存储单元，并且，在检验过程期间，在根据保持初始状态的存储单元执行基准单元的验证的同时，执行该基准单元的Vt设定。
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公开(公告)号：CN1848298A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610074096.1
申请日：2006-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 椋木敏夫
Abstract: 为了在使用可变门限类型的非易失性存储单元作为基准电流/电压产生元件的半导体存储器件中、在短时间内设定基准单元的门限，在存储数据的存储单元区中提供一个在不执行写入/擦除操作的检验过程期间保持其初始状态的存储单元，并且，在检验过程期间，在根据保持初始状态的存储单元执行基准单元的验证的同时，执行该基准单元的Vt设定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1115099A
公开(公告)日：1996-01-17
申请号：CN94113672.8
申请日：1994-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种半导体存储装置，其组成包括：位线，字线，单元平板电极，由MOS晶体管以及强电介质电容组成的存储单元，以及改变位线电容值的变动装置。此变动装置由与位线连接的开关元件和与该开关元件连接的电容构成。数据提供者与数据使用者之间预先设定的最大读出次数的读出动作结束后，通过使开关元件处于导通状态，将电容与位线连接，因而位线电容值变得不确切，无法读出正确的数据。
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公开(公告)号：CN1845254B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610074183.7
申请日：2006-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 椋木敏夫
CPC classification number: G11C16/0441
Abstract: 本发明提供半导体存储器件，可靠性高，可以实现低电压动作和高速化，并且生产时的合格率高。这种半导体存储器件，是可以写入及擦除数据，在不供给电压的期间也可以保持该数据的非易失性半导体存储器件，具有多个存储单元，该存储单元包括分别可以积蓄对应于数据的静电荷的多个局部电荷部；局部电荷部之中的任意两个以互补的状态积蓄电荷。
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公开(公告)号：CN1845255A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610074181.8
申请日：2006-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 椋木敏夫
CPC classification number: G11C16/0475 , G11C29/74
Abstract: 提供一种半导体存储器件，不增加芯片面积，就可以实现可靠性提高和合格率提高等高性能。该半导体存储器件是可写入和擦除数据、且在没提供电压期间也能保存该数据的非易失性半导体存储器件，具备存储单元，该存储单元包括可分别存储对应数据的静电荷的第1局部电荷部和第2局部电荷部，第2局部电荷部通过存储与应该存储在第1局部电荷部中的静电荷对应的静电荷，来补充第1局部电荷部。
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公开(公告)号：CN1538459A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410032961.7
申请日：2004-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/12 , G11C16/04 , G11C16/0416 , G11C2029/4402 , G11C2029/5004
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。
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公开(公告)号：CN1096680C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN94113672.8
申请日：1994-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种半导体存储装置，其组成包括：位线，字线，单元平板电极，由MOS晶体管以及强电介质电容组成的存储单元，以及改变位线电容值的变动装置。此变动装置由与位线连接的开关元件和与该开关元件连接的电容构成。数据提供者与数据使用者之间预先设定的最大读出次数的读出动作结束后，通过使开关元件处于导通状态，将电容与位线连接，因而位线电容值变得不确切，无法读出正确的数据。
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