公开(公告)号：CN1538459B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200410032961.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫 ,  杉本映 ,  小关隆夫

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0416 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2029/5004

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)、和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。

公开(公告)号：CN1967720A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149567.0

申请日：2006-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小关隆夫 ,  在田盟 ,  山冈邦史 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G06F12/1009 ,  G06F12/1408 ,  G06F2212/2022

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换。

公开(公告)号：CN1538459A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410032961.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫 ,  杉本映 ,  小关隆夫

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0416 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2029/5004

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，其存储单元阵列具有：由存储单元(MC11～MCmn)组成的存储单元区域(11)和由字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)组成的样品单元区域(12)，并且，将字线样品单元(SCW11～SCWm1)以及位线样品单元(SCB11～SCB1n)与存储单元(MC11～MCmn)进行比较，由于在字线(WL1～WLm)以及位线(BL1～BLn)上施加了电压，使得电荷容易从浮栅电极移动。这样，就可以在不增加芯片面积的情况下，低成本设置在对半导体存储装置进行干扰试验之际判定是否施加了符合规定的应力电压的装置。