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公开(公告)号：CN1577954A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062927.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042
Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻，还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。
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公开(公告)号：CN1453940A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122420.2
申请日：2003-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/50 , H03K17/284 , H04Q7/32
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03K17/693
Abstract: 为提供可扩大控制电压设定范围的高频开关，由切换开关和基准电压生成电路构成高频开关。切换开关具有第1及第2场效应晶体管。第1场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，源极与控制端子连接。第2场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，栅极与控制端子连接。基准电压生成电路生成其值相异的2个基准电压，将低的基准电压提供到第1场效应晶体管的栅极，将高的基准电压提供到第2场效应晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN1520217A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004810.0
申请日：2004-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H11/245 , H03G1/0088 , H03G3/3036
Abstract: 在将从中频部输出的高频信号放大后提供给天线的高频部，设有带开关功能的增益控制器。带开关功能的增益控制器设有进行从中频部输出的两个频段的频段选择切换和选择频段的高频信号的增益控制的带开关功能衰减器。带开关功能衰减器设有连接信号输入部与信号输出部的第一可变电阻和与第一可变电阻并列设置并连接信号输入部与信号输出部的第二可变电阻。第一和第二可变电阻由共同的增益控制电压来控制，并被设定成用以改变电阻值的增益控制电压的范围不重叠。
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公开(公告)号：CN1577954B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200410062927.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F1/00
CPC classification number: H03G3/3042
Abstract: 具有与信号线A连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部A与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻，还具有与信号线A并联设置的信号线B所连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的串联可变电阻及在信号输出部B与基准电位部GND之间连接的基于至少1个以上的场效应晶体管的并联可变电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1738195A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510084642.5
申请日：2005-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G1/007
Abstract: 增益控制电路12包括作为可变电阻器工作的FET 41。将施加到栅极控制端子23的控制电压VC提供给FET 41的栅极。将由参考电压电路13获得的参考电压Vref1提供给FET 41的源极和漏极。控制参考电压Vref1以便补偿FET 41的阈值电压的变化。FET 41的电阻值根据控制电压VC变化，并且因此高频放大电路10的增益也连续变化。
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公开(公告)号：CN100450239C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200410004810.0
申请日：2004-02-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03H11/245 , H03G1/0088 , H03G3/3036
Abstract: 在将从中频部输出的高频信号放大后提供给天线的高频部，设有带开关功能的增益控制器。带开关功能的增益控制器设有进行从中频部输出的两个频段的频段选择切换和选择频段的高频信号的增益控制的带开关功能衰减器。带开关功能衰减器设有连接信号输入部与信号输出部的第一可变电阻和与第一可变电阻并列设置并连接信号输入部与信号输出部的第二可变电阻。第一和第二可变电阻由共同的增益控制电压来控制，并被设定成用以改变电阻值的增益控制电压的范围不重叠。
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公开(公告)号：CN100359681C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN98117109.5
申请日：1998-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/54473 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H05K1/0237 , H05K3/341 , H05K3/3421 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
Abstract: 一种半导体装置及其引线框架具有用银糊等固定半导体芯片的方形芯片底座和内侧各端部与芯片底座短边侧端部连接而形成整体的第一引线及内侧各端部以夹持芯片底座的方式分别向外伸出的第二引线。第二引线内侧端部具有沿芯片底座长边一侧端部宽幅形成的宽幅部，同时第二引线在与宽幅部相连接的部分设贯穿孔。半导体芯片通过引线分别与第二引线和芯片底座电连接。该装置可从直流到高频范围使高频半导体装置稳定地工作并使其安装面积缩小。
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公开(公告)号：CN1263228C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03122420.2
申请日：2003-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/50 , H03K17/284 , H04Q7/32
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/72 , H03F2200/429 , H03K17/693
Abstract: 为提供可扩大控制电压设定范围的高频开关，由切换开关和基准电压生成电路构成高频开关。切换开关具有第1及第2场效应晶体管。第1场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，源极与控制端子连接。第2场效应晶体管中，源极与信号输入端子连接，漏极与信号输出端子连接，栅极与控制端子连接。基准电压生成电路生成其值相异的2个基准电压，将低的基准电压提供到第1场效应晶体管的栅极，将高的基准电压提供到第2场效应晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN1578120A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063607.0
申请日：2004-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F2200/72 , H03G1/007 , H04B2001/0416
Abstract: 信号输入端子和信号输出端子之间串联插入第1FET，信号输入端子和接地端子之间及信号输出端子和接地端子之间分别并联插入第2及第3FET。设置第1及第2基准电压端子和控制端子，向第1FET施加第1基准电压和控制电压，分别向第2及第3FET施加第2基准电压和控制电压，从而使第1、第2及第3FET作为可变电阻动作。从而，构成增益控制电路。而且，第1FET设置成与第1电阻并联，第2及第3FET设置成分别与第2及第3电阻串联。
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