公开(公告)号：CN1838428A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065386.X

申请日：2006-03-23

Applicant: 新电元工业株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 前山雄介 ,  西川恒一 ,  福田祐介 ,  清水正章 ,  佐藤雅 ,  岩黑弘明 ,  野中贤一

IPC: H01L29/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型4H－SiC的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型4H－SiC的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的pn结。该pn结具有结边缘。所述第一半导体层和第二半导体层进一步包含局部区域，所述局部区域包含所述结边缘。所述局部区域具有与所述钝化膜相接的第一主平面。所述第一主平面的法线从第一轴[0001]或者[000－1]向第二轴 倾斜在25度到45度范围内的第一倾角。

公开(公告)号：CN100499051C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。

公开(公告)号：CN1838390A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。

公开(公告)号：CN107533961B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201580007858.3

申请日：2015-12-11

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介 ,  渡部善之

IPC: H01L21/28

Abstract: 碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。

公开(公告)号：CN108093655A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201680039677.3

申请日：2016-09-21

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48463

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：碳化硅半导体层，其主面侧配置有多个层；以银为主要成分构成的电极层，为所述多个层中的一个层，并且具有与导电性的连接构件相连接的电极连接面；以及以碳化钛为主要成分构成的第一金属层，为所述多个层中的与所述电极层不同的一个层，并且具有：所述电极连接面露出至外部后与所述电极层相接合的第一接合面、以及与所述半导体层电气连接的第二接合面。

公开(公告)号：CN105324833B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201380077346.5

申请日：2013-06-14

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/268 ,  H01L21/428 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具有：在由具有宽带隙的结晶构成的半导体基板的第一主面上形成半导体层的工序；在与半导体基板的第一主面相反的第二主面侧生成晶格缺陷的工序；在生成晶格缺陷的工序之后，将相比于作为上述结晶所吸收的能量最低的光的波长的吸收端波长更长的波长的激光照射到半导体基板的下表面的工序；以及在照射工序之后，在上述半导体基板的第二主面形成电极的工序。

公开(公告)号：CN106575610A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580007867.2

申请日：2015-08-12

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介 ,  渡部善之 ,  中村俊一

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: 一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN105324833A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201380077346.5

申请日：2013-06-14

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/268 ,  H01L21/428 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，具有：在由具有宽带隙的结晶构成的半导体基板的第一主面上形成半导体层的工序；在与半导体基板的第一主面相反的第二主面侧生成晶格缺陷的工序；在生成晶格缺陷的工序之后，将相比于作为上述结晶所吸收的能量最低的光的波长的吸收端波长更长的波长的激光照射到半导体基板的下表面的工序；以及在照射工序之后，在上述半导体基板的第二主面形成电极的工序。

公开(公告)号：CN108093655B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201680039677.3

申请日：2016-09-21

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明的半导体装置，包括：碳化硅半导体层，其主面侧配置有多个层；以银为主要成分构成的电极层，为所述多个层中的一个层，并且具有与导电性的连接构件相连接的电极连接面；以及以碳化钛为主要成分构成的第一金属层，为所述多个层中的与所述电极层不同的一个层，并且具有：所述电极连接面露出至外部后与所述电极层相接合的第一接合面、以及与所述半导体层电气连接的第二接合面。

公开(公告)号：CN106575610B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201580007867.2

申请日：2015-08-12

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介 ,  渡部善之 ,  中村俊一

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/268 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: 一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。